Eclipse代码自动补全设置

本文详细介绍了如何通过调整Eclipse设置,增强其代码提示功能,使其与Microsoft Visual Studio媲美,包括配置‘AutoActivationtriggersforjava’选项,以及为类名、接口名等设置不同的颜色高亮。

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  一般默认情况下,Eclipse的代码提示功能是比MicrosoftVisualStudio的差很多的,主要是Eclipse本身有很多选项是默认关闭的,要开发者自己去手动配置。如果开发者不清楚的话,就不知道Eclipse的代码提示功能一样能像MicrosoftVisualStudio的代码提示功能一样强大。

  先举个简单的例子说明问题所在,例如在Eclipse,代码里面,打个foreach,switch等这些,是无法得到代码提示的,其他的就更不用说了,而在MicrosoftVisualStudio里面是得到非常友好的代码提示的。实际上,Eclipse代码里面的代码提示功能默认的一般是点“.”,一般是有了点“.”才会有代码提示。

  原理:“Auto Activation triggers for java”这个选项就是指触发代码提示的的选项,把“.”改成“.abcdefghijklmnopqrstuvwxyz(,”的意思,就是指遇到26个字母和.,(这些符号就触发代码提示功能了。增强Eclipse的代码提示功能,具体怎么样来配置?下面开始说步骤:

  1.打开Eclipse,然后“window”→“Preferences”

  2.选择“java”,展开,“Editor”,选择“Content Assist”。

  3.选择“Content Assist”,然后看到右边,右边的“Auto-Activation”下面的“Auto Activation triggers for java”这个选项。其实就是指触发代码提示的就是“.”这个符号.

  4.“Auto Activation triggers for java”这个选项,在“.”后加abc字母,方便后面的查找修改。然后“apply”,点击“OK”。

  5.然后,“File”→“Export”,在弹出的窗口中选择“Perferences”,点击“下一步”。

  6.选择导出文件路径,本人导出到桌面,输入“test”作为文件名,点击“保存”。

  7.在桌面找到刚在保存的文件“test.epf”,右键选择“用记事本打开”。

  8.可以看到很多配置Eclipse的信息。

  9.按“ctrl+F”快捷键,输入“.abc”,点击“查找下一个”。

  10.查找到“.abc”的配置信息.

  11.把“.abc”改成“.abcdefghijklmnopqrstuvwxyz(,”,保存,关闭“test.epf”。

  12.回到Eclipse界面,“File”→“Import”,在弹出的窗口中选择“Perferences”,点击“下一步”,选择刚在已经修改的“test.epf”文件,点击“打开”,点击“Finish”。该步骤和上面的导出步骤类似。

  13.最后当然是进行代码测试了。随便新建一个工程,新建一个类。在代码输入switch,foreach等进行测试。你立即会发现,果然出了提示,而且无论是敲哪个字母都会有很多相关的提示了,很流畅很方便。

  总结:“Auto Activation triggers for java”这个选项就是指触发代码提示的的选项,把“.”改成“.abcdefghijklmnopqrstuvwxyz(,”的意思,就是指遇到26个字母和.,(这些符号就触发代码提示功能了。顺便说一下,修改类名,接口名等以不同颜色高亮的,可以这样配置在“java”→“enditor”→“syntac”,右边展开“java”→“classes”,勾上“Enable”这个选项,选择自己喜欢的颜色即可。当然还有其他相关的颜色配置。具体就不说啦。其实,在“Preferences”这个东西,有很多可以配置的东西,使得Eclipse优化的,具体的就要各个人根据自己个人喜好去配置

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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