hdoj 1712

本文介绍了一个使用动态规划解决最优方案选取问题的程序实现。该程序通过二维数组记录每种选择下的收益,并利用一维数组进行动态规划计算,最终找出在限定时间内能达到的最大收益。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

#include<iostream>
using namespace std;
int a[110][110];
int dp[110];

int max(int a,int  b)
{
	if(a>b)
		return a;
	return b;
}
int main()
{
	//freopen("in.txt","r",stdin);
    int n,m,i,j,k;
    while(cin>>n>>m)
    {
        if(n==0&&m==0)
			break;
        memset(dp,0,sizeof(dp));

		//输入部分
        for(i=1;i<=n;i++)
			for(j=1;j<=m;j++)
				cin>>a[i][j];

		//dp[m],m表示天数。k应该是每一次减少的天数
		//这个问题是从底层开始的,就是m天一天一天的减少

		//dp[m]是会改变的。
        for(i=1;i<=n;i++)
			for(j=m;j>=0;j--)
				for(k=1;k<=m;k++)
					if(j>=k)
					{
						//只有两种情况,选择(dp[j]+a[i][k])或者不选择(dp[j])

						//a[i][k]表示选择对i学科花费k天的收益
						dp[j]=max(dp[j],dp[j-k]+a[i][k]);
					}
        cout<<dp[m]<<endl;
    }
    return 0;
}

//其实这种方法截取方式跟记忆式的不同,记忆氏的方法是纵向的,一下到底。
//这种方法是一层一层的拨开。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值