TC397之Memory Maps (MEMMAP)

最新推荐文章于 2025-10-06 11:01:46 发布
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分类专栏： Infineon 文章标签： 单片机 mcu
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/lm393485/article/details/128838589
本文详细介绍了AURIX™ TC3xx微控制器的内存结构，包括PFlash、DFlash、BootROM、RAM、Cache、LMU等组件，以及其地址映射方式和总线访问故障。同时，讨论了Segment划分、Cached区和Non-Cached区的区别，并概述了TC397的SOTA功能和Map文件、lsl文件在内存空间分配中的作用。

一、AURIX™ TC3xx has the following memories:

–Program and Data Flash Memory ( PFlash DFlash ): Flash memory is used for information

that does not change in time (e.g. the program running on the microcontroller)

–User Configuration Blocks (UCB): This is an area in DFlash , where protection data is

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TriCore架构-TC397的UCB初识
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Infineon Aurix TC397启动过程学习
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基于TC397的双备份刷新功能总结
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【Autosar 存储栈Memery Stack 4.Tc397的Flash编程】
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前面讲了EEPROM和FLASH最大的不同就是EEPROM可以操作的最小单位是字节，也就是可以直接擦除编程一个字节。FLASH的最小擦除单元是扇区，最小编程单元是page页，TC397芯片的DFLASH的逻辑扇区就有4K大小，page页大小是8字节。当前我们AUTOSAR项目用到的主要是英飞凌TC397芯片，所以接下来我们介绍下Tc397的硬件Flash相关知识。...
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本系列文章主要讲解英飞凌TC397芯片的相关知识。
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【MCAL】TC397+EB-tresos之ADC配置实战 - (EVADC模数转换-硬件触发采样配置-GTM定时器硬件触发ADC采样)
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摘要：本文介绍了GTM定时器硬件触发ADC采样的实现方法。通过配置GTM通道定时器事件触发ADC通道组转换，详细说明了硬件配置流程，包括MCU驱动设置、GTM时钟配置、ADC模块参数调整等关键步骤。测试代码展示了使用GTM触发ADC采集两个通道数据的实现过程，验证了配置的正确性。该方法可实现精确的定时采样控制，适用于需要严格时间同步的数据采集应用场景。
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TC377 - Memory Test Unit (MTU)
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SSH可以用一种已定义的模式快速的对部分内存或者整个内存进行填充。即使用 MCONTROL.DINIT位，每个周期有一次写访问，具有全内存数据宽度。因此，必须确保MCONTROL.SRAM_CLR=0。在设置MCONTROL.DINIT之前，软件首先需要用所需的位模式填充 RDBFL寄存器（具体参考 MCi_RDBFLy (i=0-95;y=0-66)）。在此模式下，有效的ECC码并不是必须的。设置RANGE寄存器，设置为需要填充模式的内存范围。
TC397 LMURAM 使用
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08-01 2792
具体使用哪种方法,还要看实际效果,特别是做Boot+APP的时候,更要注意实际运行一下看程序到底能不能正常运行,也有可能两种方法都不对.跑算法模型的时候,通常会有特别大的数组或结构体,TC397的DSRAM经常不够用,如。这样编译就不会报错了,在MAP文件中可以看到分配到了LMU里面。编译出来HEX文件500多行.但具体能不能跑起来没有测试.编译出来HEX大概20000多行.当然很多。都是0,说明编译器处于一个有点懵的状态。指定到LMURAM里面,如。...
TC397 MCAL开发记录（二）：Pin端口配置
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通过EB配置TC397的IO实现LED点亮。
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【AURIX Tricore】 TC3XX内存映射分析
weixin_46481662的博客
09-17 5457
AURIX TC3xx系列设备的内存映射中包含的各个部分。这些内存部分在设备上有各自的用途和特性。和是用来存储程序代码的闪存。即使在断电时，存储在闪存中的数据也不会丢失。以及包括和，这些可能是用于高速数据存取的本地内存。是存储启动代码的只读存储器。当设备上电或复位时，CPU会从这里开始执行代码。此外，这个设备还有一些内部总线，包括和。这些总线用于在设备内部的各个部分之间传输数据。
AURIX™ TC397 MCMCAN解析demo（勘误）
炸弹气旋的博客
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学习CAN总线相关知识是每个汽电行业从业者的必修课之一，使用英飞凌TC397芯片作为MCU进行通讯中，首先进行CAN收发和解析实验，在自己的调试和学习中出现了一些问题，在此记录，望各位兄台少走弯路。
tc3xx memmap
09-03
<think> 嗯，用户这次问的是TC3xx的内存映射（MemMap）相关信息，看来是在做AUTOSAR底层开发。从用户提供的引用材料看，ta手头应该有英飞凌官方文档，但需要更聚焦的实践指导。 用户可能正在配置TC3xx的Flash分区或设计Bootloader，因为四个引用中有三个都提到Flash的地址映射（特别是引用[3][4]详细描述了PF0-PF5的映射关系）。ta特意强调"介绍及使用"，说明不仅要理论概念，更需要操作指导。 注意到引用[1]提到Dsadc_MemMap.h这个关键文件，用户可能遇到具体模块的内存段配置问题。而引用[2]的BfxRbMemoryLocations参数选择，暗示用户在考虑函数存储位置优化。这两点要重点覆盖。 上次系统指令要求生成相关问题，这次需要设计能串联实践难点的问题：1）映射模式切换时机（涉及安全机制）2）常见配置错误（源自引用[4]的备用地址映射复杂性）3）多核场景考虑（TC3xx特性）。这样既能帮用户自查，也预留深入讨论空间。 技术细节上要突出TC3xx特色：五块PFlash的两种映射模式必须讲透（引用[4]的表格信息很关键），顺带解释HSM核的特殊处理。NVM-Flash的读取保护（引用[3]）也要关联内存映射安全机制。最后用Dsadc示例说明头文件用法，正好呼应引用[1]。 用户没提具体芯片型号，但引用[4]明确指向TC397，所以按最高配置说明。如果ta实际用TC38x等简化型号，后续可调整。另外ta跳过CRC和Bfx优化等次要内容（引用[2]），回答时不必展开。 </think> 以下是关于英飞凌AURIX TC3xx系列单片机内存映射（MemMap）的介绍及使用说明，结合AUTOSAR规范实现： ### 一、TC3xx内存映射核心概念 1. **地址空间分层** TC3xx采用哈佛架构，划分独立的**程序存储区**（PFlash）和**数据存储区**（DFlash/BRAM），通过硬件实现严格隔离： - **PFlash**：存储代码和常量数据，标准模式地址范围 `0x8000_0000 - 0x8FFF_FFFF`（引用[4]） - **备用映射模式**：可将PF0-PF1映射到PF2-PF3地址，PF4映射到PF5（引用[4]中描述的备用地址映射机制） 2. **Flash存储结构** ```mermaid graph LR A[Flash Bank] --> B[Blank] B --> C[Sector] C --> D[Page] ``` - 每个Blank包含多个扇区（Sector），扇区由页（Page）组成（引用[3]） - 读操作通过**内存映射访问**，写/擦除需专用NVM控制器 3. **安全控制机制** - **读取保护（RDP）**：阻止非授权访问Flash内容（引用[3]） - **内存保护单元（MPU）**：设置访问权限（如仅特权模式可写） ### 二、AUTOSAR MemMap实现流程 1. **配置内存分区** 在EB tresos/MCAL中定义内存区域： ```c /* MemMap.h 示例 */ #define START_SECTION_ADC_VAR .section "ADC_VAR_SEC" #define ADC_VAR_START 0x70000000 ``` 对应引用[1]中提到的`Dsadc_MemMap.h`封装规范 2. **链接器控制** 在LSL（Linker Script Language）文件中映射物理地址： ```ld memory pflash0 { // PF0物理地址 mem = 0x80000000; size = 2M; } section_layout :vtc:linear { group ADC_GROUP (ordered, run_addr=mem:ADC_VAR_START) { select ".ADC_VAR_SEC"; } } ``` 3. **运行时访问** 通过指针访问映射地址： ```c volatile uint32* const ADC_RESULT = (uint32*)0x70001000; ``` ### 三、关键配置参数 根据引用[2]的Bfx模块配置原则： | **参数名** | **选项** | **作用** | |----------------------------|----------------------------------|-----------------------------| | BfxRbMemoryLocations | NORMAL/FAST/SLOW/INLINE | 控制位操作函数存储位置 | | BfxRbOptimizationMcuExtract| TRUE/FALSE | 是否从MCU抽取寄存器配置 | | BfxRbOptimization | TC27XX/MPC57XX/NONE | 平台优化选择 | ### 四、典型应用场景 1. **双Bank启动（Bootloader）** 利用备用映射实现安全更新： ```c if(Valid_PF2_PF3()) { SCU_ALTMP = 0x1; // 切换到备用映射（引用[4]） jump_to_backup(); } ``` 2. **多核数据共享** 在主从核间配置共享内存区域： ``` CPU0: 0x70030000 - 0x7003FFFF (HSM核访问区) CPU1: 0x60000000 - 0x6000FFFF (主核数据区) ``` > **重要提示**：切换映射模式时需关闭中断并清空流水线，否则会导致总线错误（引用[4]）。
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