天道酬勤，恒者能胜

基于STM32的ADS8332驱动程序

异步SRAM是128K×8位结构的1M位SRAM，我们以CY62l28为例进行说明。引脚配置如图所示，这是非常标准的配置，在其他生产商的许多产品中都能见到这种配置。在自制的SRAM主板上就使用了现成的ISSI引脚兼容产品。　　图 CY62128的引脚配置　　异步SRAM的各个引脚所表示的意思如下所述。各个控制输人与操作状态的关系如表所示。　　表 SRAM的控制输入与

漏极开路上拉电阻取值为何不能很大或很小？       如果上拉电阻值过小，Vcc灌入端口的电流(Ic)将较大，这样会导致MOS管V2（三极管）不完全导通(Ib*β       如果上拉电阻过大，加上线上的总线电容，由于RC影响，会带来上升时间的增大（下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢），而且上拉电阻过大，即引起输出阻抗的增大，当

1．要正确选型要用好继电器，正确选型是很重要的，首先必须对被控对象的性质、特点和使用要求有透彻的了解，并进行周密考虑。对所选继电器的原理、用途、技术参数、结构特点、规格型号要掌握和分析。在此基础上应根据项目实际情况和具体条件，来正确选择继电器。2．对接点的认识继电器线圈未带电时处于断开状态的动静接点，称为“常开接点”，反之，则称为“常闭接点”。一个动接点同时与一个静接点常闭而与另一个静

内存，或内存储器，又称为主存储器，是关系到计算机运行性能高低的关键部件之一，无疑是非常重要的。为了加快系统的速度，提高系统的整体性能，我们看到，计算机中配置的内存数量越来越大，而内存的种类也越来越多。 内存新技术 计算机指令的存取时间主要取决于内存。对于现今的大多数计算机系统，内存的存取时间都是一个主要的制约系统性能提高的因素。因此在判断某一系统的性能时，就不能单凭内存数量的大小，

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，是一种 最常见的半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。据IHS调查显示，2013年世界DRAM的销售值比上年窜升了32.5%，达到350亿美元，2014年还将快速增长19.4%，达418亿美元，2015年稍差，但也能微增2%，达到425亿美元。在广泛

本文首先对目前市场上各种非易失性存储器进行了比较，其次对NVSRAM的工作原理和工作方式进行详细的阐述，同时，以Cypress NVSRAM为例描述了NVSRAM独有的特点，最后结合市场的应用对NVSRAM的应用进行介绍。 非易失性存储器比较 目前非易失性存储实现方式主要有如下三种：Micro Power SRAM+后备电池+控制器、电池后备供电SRAM(BBSRAM, Battery B

MC74HC595驱动

TLV5618芯片驱动程序

以前写过STM32F103ZET6驱动ADS8332的代码，不过是使用IO模拟SPI驱动的，在本博客前面可以查询。今天在STE_V2.1验证平台上编写了STM32F429BIT6驱动ADS8332的代码，本次使用了STM32F4的硬件SPI，使用SPI2。代码亲自测试，效果不错。鉴于在网上看到很多人在找STM32硬件SPI驱动ADS8332，在此贴出代码工大家参考。/**  * 函