侧信道攻击的实用改进
1. 基于合适泄漏模型的攻击改进
1.1 成功率
成功率是两个参数的函数,第一个是离线分析追踪计数,第二个是在线攻击追踪计数。从相关曲线可以看出,成功率随任意一种追踪计数的增加而上升。
不同模型的成功率表现如下:
- 模型A与模型B对比 :直观上,由于S盒的遍历是准双射函数,会认为模型A和B的攻击性能相似。但在DES中,DES的S盒输入为6位,输出为4位,当固定两个输入位时,S盒才具有双射性。模型B比A稍差与实现有关,在轮组合逻辑中,B比A的泄漏更深,更易受到时钟周期内的时序偏移和CMOS组合部分的杂散毛刺活动影响。
- 模型A与模型C对比 :原本认为模型C(模拟寄存器活动)会比A好,但实际并非如此。原因是A的特征向量比C有更多峰值,能收集到追踪中更分散的信息。
- 模型D与模型E :这两个模型是进行攻击的最佳选择。只需约200条追踪,攻击成功概率就能达到90%;250条追踪时,概率升至100%。这表明了解电路中的寄存器传输能显著增强攻击效果,在未受保护的CMOS电路中,这些模型表现出色。进一步比较模型D和E,在相同模板使用追踪数的情况下,D的表现优于E,因为E是近似模型,但在给定一定数量的分析测量时,E更受青睐。
| 模型 | 特点 | 成功率表现 |
|---|---|---|
| A | - |
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