2021年4月份 Surge和ESD Debug

Surge和ESD Debug记录

4月份一直在解Surge和ESD的bug，遇到很多问题，把它们解决后有一点点心得，记录一下。

1. TVS TSS GDT

首先网上关于TVS TSS GDT三种保护器件的描述已经很多，不作赘述。由于GDT器件的初始电压阈值太高，响应太慢，不适合我们板子，我们一般不使用。

TVS以及TSS的特性曲线网上也有很多，理论上的都可以一起查到，在实际使用中我的一些实际理解及可能的问题如下。

TVS分为单极性和双极性，这点非常重要。在实际使用中，如果打Surge的话，方向固定，此时使用单极性的TVS已经够用，但如果打ESD的话，ESD的方向并不固定，此时就需要双极性的TVS防两边，既能防住POE_VDD来的高压，也能防住从另一个口串过来到POE_GND的高压。（POE是隔离式的POE，POE_GND和系统地通过跨地电容连接）

TSS在起作用时是导通的，如果是正常的高压进来后，有一部分会从TSS导到浮地上，如果浮地接大地的话就形成一个回路，起到防护作用，但是一般浮地和系统地也有跨地电容连接，可以有回路走到POE_GND上，从而打坏PD芯片。

所以，在板子正常工作时，TVS呈钳位电压的状态，而TSS呈导通状态，选用时，大概率会选择TVS，确保不要引入新的回路。

2. Surge注意事项

1、首先路径要尽量对称，这次这块板子的DC供电是直插入POE供电的中间，它们之间通过PD芯片检测协议控制一颗开关MOS管来控制DC供电和POE供电的优先级，在DC供电情况下MOS管关断，直供电的方式，PD芯片只提供PWM开关后级MOS的功能来实现48V转12V。总共有两个网口实现POE供电，一个加了DC，一个没加DC，两电路有差异，出现了总是打坏PD芯片这个问题，反复检查，发现加了DC这一路的POE供电电路中的MOS管因为在DC供电时关断，使得前面进来的保护器件TVS没起作用，PD芯片当然会损坏。将TVS人工挪到DC进来之后，确保TVS起作用，此