NVM区数据备份机制

         上一篇主要说明NVM区操作注意事项，本文针对上篇提到的NVM区数据备份方法进行补充讲解。
         NVM区主要特性是写入数据掉电不丢失，可以永久的保存数据，一般用作存放不经常修改的数据，此功能类似FLASH。向NVM区写入数据可分为3步：第一步，将目标扇区内原有数据读出到RAM中；第二步，擦除NVM目标扇区内数据；第三步，将新数据和RAM中的旧数据写入到该扇区中。基于以上写操作的特点可以看出，若执行写NVM区操作的第二步或第三步时芯片断电了，就会造成NVM区内原有数据丢失，而新数据写入失败，表现出NVM区内数据错乱的现象。虽然这只是小概率事件，但出于稳定性和产品健壮性考虑也要加入数据备份机制。
         数据备份有两套基本方案，分别适用于小数据量和大数据量的应用场景。本期介绍小数据量备份方案，即要求每次更新数据量小于一个扇区大小减1，本例扇区大小256字节，因此更新数据量最大255字节。（注意：不同型号芯片NVM扇区大小会有差异，可以联系凌科技术确认）。实现思路是：从NVM区选取两块区域，每个区域的最后一字节记录该区域的操作次数。以该标志决定更新数据应选用哪个区域。依次循环操作两个区域，操作区域1的时候，区域2就充当了备份作用，反之同理。
第一次写入数据
第一步：将NVM区地址0x0000~0x00FF定义为Block1，将0x0200~0x02FF定义为Block2。
#define Block1 0x0000
#define Block2 0x0200
第二步：定义一个256字节的数组databuf和一个标志位变量cnt，并将cnt赋值0。
unsigned char databuf[2