EMM5832VUT：四级设计保障31dBm输出与＞20% PAE

EMM5832VUT

内容介绍：
        哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率 GaAs FET——EMM5832VUT。 它的工作频率覆盖21.2 GHz至26.5 GHz，这正是K波段的核心区域。它的“火力”令人印象深刻：在典型工作条件下，输出功率（P1dB）高达31 dBm（约1.26瓦），这意味着它能将输入信号放大超过1000倍！更关键的是，它拥有超过22 dB的小信号增益，四级放大结构确保了信号在逐级放大中保持足够的强度，克服高频路径的巨大损耗。

主要特性：
高输出功率：典型值 31.0 dBm（1dB压缩点）。
高线性增益：典型值 20.0 dB。
宽带工作：覆盖 21.2–26.5 GHz。
阻抗匹配：输入/输出阻抗 50 Ω。
封装：小型密封金属陶瓷SMT封装（VU封装）。

应用领域：
       EMM5832VUT的核心优势在于K波段宽带覆盖、高功率输出、高集成度与量产友好性，使其成为移动通信、5G回传、雷达传感、测试仪器等领域的理想选择。尤其在需要中等功率（1–2 W）、高线性度、小型化设计的场景中，其综合性能与成本效益表现突出。

相关型号：
FLM3742-18F
FLM7785-12F
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