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原创 S3C2440-UART
1、UART描述:S3C2440的通用异步收发器(UART)配有3个独立异步串行I/O(SIO)端口,每个都可以通过产生中断或DMA请求来进行CPU和UART之间的数据传输。2、UART操作步骤:UART操作主要分为UART初始化和TX(RX)操作两个步骤3、UART初始化步骤:(1)UART对应I/O口设置(2)传输格式设置(有多少个数据位、是否使用校验位、是奇校验还是偶
2013-10-21 10:02:18
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原创 S3C2440-中断
S3C2440包含59个中断源:一级中断:不带有子中断的中断源。如:EIN0、TIMER0、DMA0等,共:24个一般中断子中断:UART0_ERR/RXD/TXD等,共15个 外部中断子中断:EINT4、5~23,共20个中断方式如下:中断寄存器:SUBSRCPND寄存器:子中断是否发生,S3C2440有15个子中断,每一位对应一个子中断1:中断 0:没有
2013-10-17 15:28:03
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原创 S3C2440-PWM
S3C2440A 有 5 个 16 位定时器。其中定时器 0、1、2 和 3 具有脉宽调制 (PWM )功能。定时器 4 是一个无输出引脚的内部定时器。定时器 0 和 1 共用一个 8 位预分频器 ,定时器 2、3 和 4 共用另外的 8 位预分频器。每个定时器都有一个可以生成 5 种不同分频信号 (1/2 ,1/4 ,1/8 ,1/16 和 TCLK )的时钟分频器。每个定时器模
2013-10-15 17:53:45
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原创 S3C2440-时钟
S3C2440A 中的时钟控制逻辑可以产生必须的时钟信号,包括CPU 的FCLK,AHB 总线外设的HCLK 以及APB 总线外设的PCLK。S3C2440A 包含两个锁相环(PLL):一提供给FCLK、HCLK 和PCLK,另一个专用于USB 模块(48MHz)。FCLK 是提供给ARM920T 的时钟。HCLK 是提供给用于ARM920T,存储器控制器,中断控制器,LCD 控制器,DM
2013-10-13 11:43:13
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原创 S3C2440-GPIO
S3C2440A 包含了130 个多功能输入/输出口引脚并且它们为如下显示的八个端口:– 端口A(GPA):25 位输出端口– 端口B(GPB):11 位输入/输出端口– 端口C(GPC):16 位输入/输出端口– 端口D(GPD):16 位输入/输出端口– 端口E(GPE):16 位输入/输出端口– 端口F(GPF):8 位输入/输出端口– 端口G(GPG):16 位
2013-10-13 11:04:05
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原创 TQ2440裸板烧写步骤
开发板:TQ2440 烧写工具:openjtag(自带USB转JTAG) 烧写软件:oflash开发环境:win7(由于没有串口,所以不能使用SecureCRT进行烧录)烧写步骤:1、首先安装光盘自带的openjtag驱动到指定目录下2、运行cmd命令运算符,指定路径到F:盘,并进入相应的目录下 (如输入:F:按确定键,再 cd F:\lin\le
2013-10-11 22:54:47
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原创 PCB Matrix IPC LP Wizard术语
aluminum Electrolytic capacitor:镀铝电极电容器Ball Grid Array(BGA):球阵列封装Ceramic Flat Pack(CFP):陶瓷扁平封装Column Grid Array(CGA):柱栅阵列Ceramic Quad Flat Pack(CQFP):陶瓷四边引线扁平封装
2013-08-10 09:37:47
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转载 SMD封装术语
SMD: Surface Mount Devices/表面贴装元件。RA:Resistor Arrays/排阻。MELF:Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件.SOT:Small outline transistor/小外形晶体管。SOD:Small outline diode/小外形二极管。SOIC:Small outline
2013-08-09 16:09:55
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原创 data,idata,xdata,pdata
关键字 用途 说明_at_ 地址定位 为变量进行存储器绝对空间地址定位alien 函数特性声明 用以声明与PL/M51兼
2013-08-06 23:40:38
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转载 4069多谐振荡器
典型的4069多谐振荡器电路图如图1所示。本电路由两个非门,电阻R1、R2和电容C1组成,其工作原理在此就不赘述了。这种振荡电路输出矩形方波,其占空比约为1:2。所谓“占空比”指矩形方波在一个振荡周期内的高电位维持的时间与振荡周期的比,如果高电位和低电位在一个周期内所占的时间相等,其占空比就是1:2(50%)。在多谐振荡器中,振荡频率主要由电阻R2和电容C1决定。电阻R2的作用是使振荡器工作更稳定
2013-07-31 20:56:55
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原创 推挽输出、漏极输出方式详解
开漏输出:没有高电平驱动能力,只能输出低电平,高电平需要外部的上拉电阻。推挽输出:具备高低电平的驱动能力。开漏形式的电路有以下几个特点:1.利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总 线占用状态的
2013-07-25 20:25:05
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原创 推挽电路
无输出电容的功率放大电路,简称OCL电路。理想情况下,输入电压为正弦波时的工作原理工作原理工作原理工作原理: ◆当ui>0时,T1管导通,T2管截止,正电源供电,电流如右图所示,电路为射极输出形式,uo≈ui;◆当ui<0时,T2管导通,T1管截止,负电源供电,电流如图所示,电路也为射极输出形式,uo≈ui;可见电路实现了“T1和T2交替工作,正、负电源交替供电,输出
2013-07-19 23:33:46
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原创 CMOS反相器
VTp PMOS导通条件:Vgs(th)PVTn NMOS导通条件:Vgs(th)N>0当UI=0, Ugs(N)=0,N管截止,Ugs(P)当UI=VDD,Ugs(N)>0,N管导通,Ugs(P)=0,P管截止,所以Uo=0,输出低电平即UI=/UO,反相器逻辑符号如下:
2013-07-19 21:04:19
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原创 场效应管导通条件
FET类型符号工作条件开关状态备注N沟道结型UGS=0D、S导通UGSD、S断开P沟道结型UGS=0D、S导通UGS>UGS(OFF)>0
2013-07-17 21:44:02
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原创 三极管的导通条件总结
对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于:它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于:通过小的交流输入,控制大的静态直流。假设三极管是个大坝,这个大坝奇怪的地方是,有两个阀门,一个大阀门,一个小阀门。小阀门可以用人力打开,大阀门很重,人力是打不开的,只能通过小阀门的水力打开。所以,平常的工作流程便是,每当放水
2013-07-15 11:57:39
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原创 三极管的检测
1、基极的判定 将数字表的一支表笔接在晶体三极管的假定基极上,另一只表笔分别接触另外两个电极,如果两次测量在液晶屏上显示的数字均为0.1V ~0.7V ,则说明晶体三极管的两个PN 结处于正向导通,此时假定的基极即为晶体三极管的基极,另外两电极分别为集电极和发射极;如果只有一次显示0 .1V ~0.7V 或一次都没有显示,则应从重新假定基极再次测量,直到测出基极为止。 2
2013-07-13 16:06:30
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原创 1N4148、1N5819、1N4007的区别
1N4148和1N5819的区别: 高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点,它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流,续流、保护二极管使用。 1N5819的特点是速度超快(开关损耗低),压降特低(电压损耗低),不过耐压也低,通常少于60V,适用于低压( 普通二级管快恢复速度中,压降大,耐压高,适用于高压(>12V~1
2013-07-13 11:43:02
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转载 二极管的分类
二极管类有很多种,下面列取几种比较常用的二极管1. 信号二极管即正向电流较小、恢复速度较快、个头较小的二极管。用于信号线上。2. 大电流二极管一般用作防反,选择时要注意额定正向电流、反向电压以及正向压降。这种二极管选型时,因为其正向电流较大,为了减少功率消耗,一般正向压降越小越好。而反向电压也越大越好。3. 稳压管又称齐纳管,这里指的是信号线上保护用的小个头稳压管。除非
2013-07-13 11:30:34
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转载 各种二极管的检测方法
检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环,带色环的一端则为负极。(c)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。
2013-07-13 10:54:55
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原创 二极管常用参数介绍
最大额定值 最大反向峰值电压VRM 即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。 因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。 最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流 反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。最大
2013-07-13 10:37:27
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转载 三极管与场效应管的区别
场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度和低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件,工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FE
2013-07-13 10:22:07
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原创 场效应管的分类
场效应管分结型和绝缘栅型两大类:按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。所以一共有6种场效应管,分别为结型场效应管:N沟道、P沟道绝缘栅性场效应管:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型
2013-07-13 10:13:39
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