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为检测管脚是否被烧坏，除了使用上面的方法检测/O口到GND的保护二极管外，还需要检测I/O口到VCC的保护二极管。依次测量每个I/O口，如果万用表显示的参数为0.7V左右，则表示芯片的内部I/O到GND的保护二极管正常，即打线也是完好的，若显示的参数为0V，则表示芯片内部的打线已被拉断。依次测量每个I/O口，如果万用表显示的参数为0.7V左右，则表示芯片的内部I/O到VCC的保护二极管正常，若显示的参数为0V，则表示芯片此端口已被损坏。首先将万用表调到二极管检测挡位，被测芯片不要供电，将万用表的。

​去耦电容，也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。它通常安装在集成电路（IC）的电源引脚附近，通过提供瞬态电流和吸收噪声，防止电源波动对其他电路造成干扰。​

栅极驱动器是低压控制器和高压电路之间的缓冲电路，用于放大控制器的控制信号，从而实现功率器件更有效的导通和关断。1.栅极驱动器的作用总结如下：1.将控制器的低压信号转化为更高电压的驱动信号，以实现功率器件稳定导通和关断。2.栅极驱动器能提供瞬态的拉和灌电流，提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。3.驱动器能够有效隔绝高功率电路的噪声，防止敏感电路被干扰。4.通常驱动器集成了保护功能，有效防止功率器件损坏。

非常有必要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的，类似于防呆设计。

在图中的左方电路中，G极电势为4W，而S极接地，即电势为0v，因此Vg5=4V，所以MOSFET导通，从图中也可以看到Vd=0.075v，近似为0。以上图中电机正转的电路为例，当Q1导通时24v=Vd≈Vs，而这时，要保证Vgs>3V，就有Vg>(3+24=27)V，如何做到Vg有27V，甚至更高的电压，这个时候就要有驱动电路来驱动MOSFET了，也就是要使用MOSFET驱动芯片。通过施加可以将MOSFET导通的电压，起到一个开关MOSFET的作用，三极管的基极(b)，差不多也是这个作用。