MOS管驱动电路设计全攻略

已于 2025-05-19 15:15:52 修改
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分类专栏： 硬件电路设计 文章标签： MOS管驱动电路设计
于 2024-12-30 19:53:32 首次发布
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目录：

一、MOS管的开关控制

二、MOS管常见驱动方案

1、直接驱动MOS

2、三极管间接驱动

3、互补推挽与图腾柱

4、隔离驱动

5、加速MOS管关断时间

一、MOS管的开关控制

对于 NMOS 来说，一般有下面两种连接形式，如下图1.1.1 所示。

流过电阻R6 的电流 = (12V-0V)/1k = 12mA&#x

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相反，减少R2，MOS管在关断时就会有较大的漏电流流向驱动电路，增加功耗，这是它的缺点，但可以通过推挽电路来解决。，向栅极施加高电压，接通上管Q1，不过由于Q1的源极电压会随着下管Q2的开关产生变化，所以Q1和Q2的驱动电源。当用R2和R3串联增加栅极驱动电阻，会让MOS管无法在饱和模式下驱动，导致开关速度变慢，开关损耗增加。它需要考虑栅极施加高于Vth电压的能力，高于Vth的G极电压，MOS管。驱动MOS管，MOS管提供导电路径，可以有效降低电子设备的功耗。，低于Vth的G极电压，MOS管。
硬件设计-MOS管快速关断的原因和原理
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我们知道，MOS管开通和关断的过程，就是MOS管栅极电容充电和放电的过程，所以呢，栅极串联的电阻越大，那么充放电速度越慢，开通和关断越慢。当没有二极管D和电阻Rs_off时，开通时充电和关断时放电的串联电阻都是Rs_on，二者是一样的。那为什么加上二极管D和电阻Rs_off（有时Rs_off=0Ω，即没有这个电阻）就可以实现快关呢？
MOSFET 驱动设计
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(1) 从上述三个例子当中 MOSFET 驱动芯片会提供专用的管脚连接到 MOS 的栅极 G 和 源极 S 上。这是因为 MOS 管的导通需要控制极（G 极），而 G 极的电压是相对于 S 极的电压来控制的，如果 S 极没有接到 MOS 驱动芯片上，那么 G 极的电压就无法控制 MOS 管的导通，从而无法实现对负载的控制。(2) MOS 根据电路设计可以置于电路低侧或高侧，当然不排除低侧和高侧都有，所以要根据实际应用选择高侧或低侧驱动器芯片，或高低侧驱动器芯片同时驱动高侧和低侧开关管。
几种MOS驱动电路学习
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本文列出的为在生产的几款水控器，根据不同的设计需求所采用的几种驱动方法。另外，×××采集器多处需要用到MOS驱动，该产品上使用了集成电路UL2003直接驱动NMOS和PMOS，也有比较好的驱动效果。
MOS管驱动原理
GuoFengZhuo
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二、MOSFET关键参数2.1.开关时间在考虑MOSFET的开关性能时，需要区分理论开关时间和实际开关时间。理论上，开关时间可以短至50ps至200ps，但由于电路寄生元件的存在，实际开关时间通常在10ns至60ns之间。此外，周期时间是指MOSFET完成一次从完全关闭到完全打开再回到关闭的完整循环所需的总时间，它包括了两倍的开关时间以及电平状态转换后达到稳定所需的额外时间，这通常是开关时间的5倍或10倍。
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也就是说，我们至少要188 mA的电流，才能瞒足在1us内开通和关断。通我们通过数据手册上的参数，我们可以看到Qg的典型值为188nC。栅极电荷：Qg——是指MOS开关完全打开，G极所需要的电荷量。反向传输电容：Crss=Cgd，也叫米勒电容。输入电容：Ciss=Cgs+Cgd，输出电容：Coss=Cgd+Cds，下面，我们给出其相关参数。
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