挽救我的U盘

    写程序时,难免用U盘拷贝东东,所认之前04年花了3びゃく円买了个U盘,那时感觉挺便宜,现在看是贵了点,呵呵。
    后来一直很少用,前一段时间,自己电脑坏了,两个OS都时进不去了,光驱又坏了,软驱又没有,查网上,可以用U盘做起动盘,记得是找了个类似于USBOOT 东东做启动盘,可以启动进入电脑,但是不能挽回系统,最后还是借光驱恢复安装了系统。

 可惨的我的U盘变成了1.44M大小了,怎么弄也找不出来,以为这下完了,这个U盘就毁于一旦;折腾了很久,还是弄不好,在计算机管理->磁盘管理中,可以看到U盘还真的241M未分配的空间,但是又不能建立新的分区,猜想可能是引导区坏了;后来在网上找到USBOOT这个小程序,也是可以做启动盘,我就试着死马当活马医,重新格式,重做启动盘,那种忐忑不安的心情,生怕U盘坏了;完了后,一看呵呵,竞然又有251M,只是格式是FAT的,重新格式化为FAT32后,一切正常使用.

 终于我的U盘回来了,总算没有白费功夫在网上的找的那些资.我想可能是USBOOT这个小程序做启动盘时,重新格式化引导分区,不知是不是这样;也要感谢USBOOT这个小程序,挽回了我的经济损失,哈哈......

 

以上为我自己的感受所写,如有雷同,纯属巧合,概不负责侵权及相关权力!

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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