Hard link, symbolic link

Hard link - 把链接文件与目标文件的inode关联。inode只在一个文件系统内可见,所以hard link不能跨文件系统。

Symbolic link - 把链接文件与目标文件的文件名关联。symblic link可以跨文件系统。


#mount

/dev/vx/dsk/sfsdg/fs1 on /vx/fs1

/dev/vx/dsk/sfsdg/fs2 on /vx/fs2


# ll -ai /vx/fs1

  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 file1

# ll -ai /vx/fs2

      4 -rw-r--r--  1 root root       0 Aug 12 17:06 file2


1.  创建硬链接时,目标文件和链接文件必须在同一个文件系统中。两个文件指向同一个inode。2表示inode 16384与两个文件名关联。

# ln /vx/fs1/file1 /vx/fs1/hard_link

# ll -ai
  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 file1
  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 hard_link

2. 跨文件系统,不能创建硬链接。

# ln /vx/fs2/file2 /vx/fs1/hard_linkfs2
ln: creating hard link `/vx/fs1/hard_linkfs2' => `/vx/fs2/file2': Invalid cross-device link


3. 创建符号链接时,目标文件和链接文件可以在不同的文件系统中。两个文件指向不同的inode。
# ln -s /vx/fs2/file2 /vx/fs1/soft_link

# ll -ai /vx/fs2
      4 -rw-r--r--  1 root root       0 Aug 12 17:06 file2

# ll -ai
  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 file1
  16385 lrwxrwxrwx  1 root root      13 Aug 12 17:15 soft_link -> /vx/fs2/file2

4. 对于硬链接文件,删除目标文件以后,inode还会存在。删除file1以后,inode 16384只与一个文件名关联。

# ll -ai
  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 file1
  16384 -rw-r--r--  2 root root       0 Aug 12 17:05 hard_link

# rm file1

# ll -ai

  16384 -rw-r--r--  1 root root       0 Aug 12 17:05 hard_link


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值