DM365 DDR时序理解(1)

本文详细解释了TMS320DM36x数字媒体系统上的DDR2/DDM内存控制器中的预充电与激活命令,包括ACTV、DCAB、DEAC等指令的时序与作用,以及如何通过这些命令实现内存的正确读写操作。

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参考文档:

TMS320DM36x Digital Media System-on-Chip (DMSoC) DDR2/Mobile DDR
(DDR2/mDDR) Memory Controller Users Guide

 

DDR工作是有一定的schedule的。

通过一定的时序完成某个命令,按照schedule完成各个命令。附命令

ACTV  :   Activates  the  selected bank and row  (激活选择的bank与row)

DCAB :   Precharge all  commad .Deactivates all  banks  (对所有命令预充电,关闭所有bank)

DEAC :   Precharge single command. Deactivates a single bank (对单独命令与充电,关闭正在预充电的bank)

DESEL :Device Deselect.

EMRS  : Extended Mode Register set

MRS    :  Mode Register set

MOP    :  NO Operation.

Power  Down : Power Down mode

READ : Input  the  starting  column address and begins the read operation (输入起始列地址开始读操作)

REFR  : Autoreflesh cycle

WRT   : input the starting column address and begins the write operation (输入起始列地址开始写操作)

 

以READ命令为例:

首先说明在READ命令之前必须操作ACTV命令。根据文档,读命令需要从DDR中突发读取数据(a burst length of 8)为8,操作之前必须先发出激活BANK命令(也就是ACTV:该命令同时送行地址),接着发出read命令。

说明一下ACTV命令(文档上有介绍)中的tRCD:发送列读写命令时必须与前面的ACTV命令有一个时间间隔,这个间隔就定义为tRCD--RAS to CAS Delay(行选通到列选通间隔)。这是根据芯片存储阵列内部响应时间所需要的延时,由硬件决定。

说明一下READ与WRT命令中的Latency:发送列读写命令后需要经过一段时间才读取数据,即读取列地址到数据稳定的时间定义为Latency。

根绝该文档Read  Latency=CAS Latency+ additive Latency 。而DDR2 内存控制器经常配置additive Latency为0,所以如下图Read  Latency=CAS Latency=3 时钟周期

所以发送ACTV命令到读取到数据的时间间隔应为tRCD+Read  Latency。

在bank的tRDC期间可以插入其他bank的激活命令,注意两个bank激活周期(两个BANK的ACTV间隔:RAS有效间隔)需要大于等于BL/2(改BL等于8)。否则会出现数据冲突。

 

 

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