单片机学习————51单片机入门（二）

最新推荐文章于 2025-04-23 11:26:09 发布

原创最新推荐文章于 2025-04-23 11:26:09 发布 · 1.1k 阅读

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：

1.掉电模式:
在掉电模式下，振荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内 RAM 和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式的唯一方法是硬件复位,复位后将重新定义全部特殊功能寄存器但不改变 RAM中的内容，在 Vcc恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。

2.程序存储器的加密:
AT89C51可使用对芯片上的3个加密位 LB1、LB2、LB3进行编程(P)或不编程(U)来得到如下表所示的功能加密位保护功能表:

当加密位LB1被编程时，在复位期间，EA端的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一个随机数，且这个随机数会一直保存到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的 EA电平值必须与该引脚当前的逻辑电平一致。此外，加密位只能通过整片擦除的方法清除。

3.Flash 闪速存储器的编程:
AT89C51单片机内部有4k字节的FashPEROM，这个 Flash 存储阵列出厂时已处于擦除状态(即所有存储单元的内容均为 FFH)，用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电压(+12V)或低电压(Vcc)的允许编程信号。低电压编程模式适合于用户在线编程系统，而高电压编程模式可与通用EPROM编程器兼容。
AT89C51单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些则是高电压编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的名字节获得该信息，见下表。

AT89C51的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的 PEROM 程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。
4.编程方法:

编程前，须按表6和图6所示设置好地址、数据及控制信号。编程单元的地址加在P1口和P2口的P2.0-P2.3(11位地址范围为 0000H-0FFFH)，数据从P0口输入，引脚P2.6、P2.7和P3.6、P3.7的电平设置见表6，PSEN为低电平，RST保持高电平，EA/Vpp引脚是编程电源的输入端，按要求加上编程电压，ALE/PROG引脚输入编程脉冲(负脉冲)。编程时，可采用4-20MHz的时钟振荡器，AT89C51编程方法如下:
1.在地址线上加上要编程单元的地址信号。
2.在数据线上加上要写入的数据字节。
3.激活相应的控制信号。
4.在高电压编程方式时，将EA/Vpp端加上+12V编程电压。
每对 Flash 存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个 ALE/PROG编程脉冲。5.
改变编程单元的地址和写入的数据，重复1-5步骤，直到全部文件编程结束。
每个字节写入周期是自身定时的，通常约为1.5ms。

5·数据查询:
AT89C51单片机用数据査询方式来检测一个写周期是否结束，在一个写周期中，如需读取最后写入的那个字节，则读出的数据的最高位(P0.7)是原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，有效的数据就会出现在所有输出端上，此时，可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，可在任意时刻进行数据查询。

6.Ready/Busy:字节编程的进度可通过 RDY/BSY输出信号监测，编程期间，ALE变为高电平“H”后P3.4(RDY/ BSY)
端电平被拉低，表示正在编程状态(忙状态)。编程完成后，P3.4变为高电平表示准备就绪状态。
程序校验:如果加密位LB1、LB2没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据，采用下图的电路，程序存储器的地址由P1和 P2口的 P2.0-P2.3输入，数据由 PO口读出，P2.6、P2.7和P3.6、P3.7的控制信号见表6，PSEN保持低电平，ALE、EA和RST保持高电平。校验时，P0口须接上10k左右的上拉电阻。

加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。
Flash 存储器编程和校验时序图7(高电压编程)和图8(低电压编程)。

7.芯片擦除:利用控制信号的正确组合(表6)并保持ALE/PROG引脚10mS的低电平脉冲宽度即可将PEROM 阵列(4k 字节)和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作中将任何非空单元写入“1”，这步骤需再编程之前进行。
8.片内签名字节:AT89C51单片机内有3个签名字节，地址为030H、031H和032H。用于声明该器件的厂商、型号和编程电压。读签名字节的过程和单元 030H、031H及032H的正常校验相仿，只需将 P3.6和 P3.7保持低电平，返回值意义如下:
(030H)=1EH声明产品由ATMEL公司制造。
(031H)=51H声明为AT89C51单片机。
(032H)=FFH声明为12V编程电压。
(032H)=05H声明为5V编程电压。
9.编程接口:
采用控制信号的正确组合可对 Flash 闪速存储阵列中的每一代码字节进行写入和存储器的整片擦除，写操作周期是自身定时的，初始化后它将自动定时到操作完成。