随笔

博客提到每天应留3小时思考反省。指出为成事而做人难,当下鼓吹情商高于智商不对。还阐述学术是为成事,与求是有关。学术各分支形成模型,有精炼、可预测等特点,目前大量建模由人完成,人工智能仅实现初级自动化。

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  1. 3小时。前两天因为历史纪念日,有人总结了那个历史时代的100句话,其中有一句说每天日常最多只能用21个小时,其余3个小时要专门用来思考反省。
  2. 做人和成事。人模仿人乃本能,不需要教。为了成事而做人就难,读过乔布斯传记,也许能模仿他做人,但要能成就出他的事业水平,则需要非人因素,光有情商能做人不够。当下风气鼓吹情商的重要性甚至高过智商,这是不对的。
  3. 学术。今天读到一句话,说张之洞有学无术,袁世凯不学有术,遂明白二字的辅成关系。费时耗力研习学术绝不是为了做人,主要是为了成事。久而久之学术界发现成事和求是之间有很强关系。这是在古今中外都印证到的:以古希腊对其倡导和实践最好,其影响力也最深远。于是学术就给人留下专门求是的印象了。不过,中长线很有效的投资还是发现客观规律,最有效的方法还是用好客观规律。
  4. 模型。学术发展至今,几乎每个分支都形成了模型,也在讨论新模型。商业学术讨论商业模型,自然科学学术讨论自然科学模型。模型是精炼的、结论性的、能优化的、有预测性的、可计算的。模型使人可以专心于开发新的增量,而不是费力穷举大量情况和结论。大量建模工作目前主要还是由人来做。人工智能界对此作了高期望销售,但近几年仅实现了比较初级的建模自动化。复杂建模仍旧发生于人脑。但因为抽象思维和程序设计的难度,不是所有发生在人脑的复杂建模都被实体化到了计算机上。
  5.  
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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