射频同轴线阻抗
射频同轴线的阻抗与线的绝缘介质的介电常数有关,与线的屏蔽层半径与内部导线半径的比值有关:
R0=12πμ′ϵ′ln(r2r1) \begin{align} R_0=\frac{1}{2\pi}\sqrt{\frac{\mu^{'}}{\epsilon^{'}}}\ln(\frac{r_2}{r_1}) \end{align} R0=2π1ϵ′μ′ln(r1r2)

式中,r1r_1r1为同轴线内芯导线的半径,r2r_2r2为同轴线外层屏蔽层的半径,内芯导线与屏蔽层之间的绝缘介质的介电常数为ϵ′\epsilon^{'}ϵ′,磁导率为μ′\mu^{'}μ′.
由公式可知,同轴线绝缘介质的介电常数越大,单位长度的阻抗越小;外径与内径之比r2r1\frac{r_2}{r_1}r1r2越大,阻抗越大。
绝缘层的介电常数μ′\mu^{'}μ′与磁导率ϵ′\epsilon^{'}ϵ′与单位长度的电感L0L_0L0、单位长度的电容C0C_0C0之间有以下关系:
μ′ϵ′=L0C0 \begin{align} \mu^{'}\epsilon^{'}=L_0C_0 \end{align} μ′ϵ′=L0C0
单位长度同轴线的电感
同轴线的电感为内自感与外自感之和,内自感为磁链与部分电流相交链形成的电感,外电感为磁链与全部电流相交链形成的电感;
根据安培环路定律可以计算同轴线单位长度的电感量. 安培环路定律:
∮Hdl=I \begin{align} \oint H dl =I \end{align} ∮Hdl=I
同轴线单位长度的内自感LiL_{i}Li为:
Li=μ08π \begin{align} L_{i}=\frac{\mu_0}{8\pi} \end{align} Li=8πμ0

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