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Value line low density STM8L05xx devices: STM8L051x3microcontrollers with 8-KB FlashValue line medium density STM8L05xx devices: STM8L052x6microcontrollers with 32-KB FlashValue line high dens

STM8L 该如何使用硬件SPI驱动W25Q16 Flash 芯片

该如何使用STM8L的硬件SPI去驱动VS1003B？这个问题分两部分来思考，一是STM8L的SPI部分该如何配置以及与VS1003B相连的控制管脚该如何配置，二是关于VS1003B的时序以及指令使用。

STM8L151

在 STM8L151G6U6中可支持字节擦写和块擦写，块擦写可一次擦写很所字节。字节擦写比较简单，需要注意的是块擦写，在块擦写中，需要配置一个地方。 对于IAR来说， Uncomment the line “#define RAM_EXECUTION (1)” in the stm8l15x.h file to enable the FLASH functions execution fro

STM8L 在USART中使用DMA来发送与接收数据，在这中间该如何配置及使用DMA

SPI 通信方式总结在SPI通信中，通信管脚的配置是一部分，而对于通信的配置则显得跟重要，因为这个配置错误的话，会导致接收的数据是错位的，并且这个跟从设备相关。 下面已STM8L的SPI为例：

STM8L最小系统电源部分STM8L的供电范围：1.65Vor1.8V-3.6V,1.65V是需要STM8L关闭BOR功能，这个在可选项字节中可以配置。 具体管脚电路接法如下： 推荐的电源layout： 晶振时钟STM8L有16M的内部RC时钟，如果使用这个时钟就不需要外部时钟了。 HSE-外部高速时钟： HSE电路接法： STM8L还有一个LSE时钟，可以用来为RTC模块提

STM8L051 同时使用RTC和USART通信

STM8L151G6实现超低功耗的注意事项

STVD下STM8L151使用官方固件库开发的步骤

在STVD中新建一个STM8L工程

因最近项目用到STM8L101F3P6超低功耗MCU，所以想在这里总结一下相关内容。STM8L101F3P6 供电电压：1.65V - 3.6V，具体的最小电路如下如所示平时编写代码可参考ST官网给的固件例程。在使用该MCU时，为了达到低功耗的目的，平时可注意几个方面：1、使用STM8L101的AWU自动唤醒模块，并尽量是休眠时间较长。2、在进入休眠状态时，需配置好各个GP

STM8L151在STVD环境下printf函数重定向

SD卡定义：SD卡是基于flash的存储卡。 SD卡和MMC卡的区别在于初始化过程不同。 SD卡的通信协议包括SD总线和SPI两类。 SD卡使用卡内智能控制模块进行FLASH操作控制，包括协议、安全算法、数据存取、ECC算法、缺陷处理和分析、