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RSS订阅原创 内存检测方法
1.电路的制作工艺错误：在焊接电路的时候，可能会出现焊锡飞溅的情况，使得两个引脚短路，这样的后果是，当你对存储器进行操作的时候，就会数据重叠，甚至于说，出现无法读取的数据；焊接操作不当或者铜板刻制出错，出现开路的情况，可能会出现对存储器无法操作或者数据操作不成功的情况。2.电路的电容性：假设使用的芯片频率足够快，你进行一个写操作，为了检验，你再进行一个读操作，那么问题来了，如果电容性，虽然你可能检测到的数据是你想要的，但是这时这个数据是由于读写操作太快，而来不及反翻转，那么这样的芯片实际上是不能存储..
2022-04-05 08:08:13
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原创 理解上电复位
上电复位是指上电压从无到有在RESET处会先处于高电平一段时间，然后由于该点通过电阻接地，则RESET该点的电平会逐渐的改变为低电平，从而使得单片机复位口电平从1转到0，达到给单片机复位功能的一种复位方式。复位方式除了上电复位外，还有手动复位。 电容在上接高电平，电阻在下接地，中间为RST。这种复位电路为高电平复位。 其工作原理是：通电时，电容两端相当于是短路，于是RST引脚上为高电平，然后电源通过电阻对电容充电，RST端电压慢慢下降，降到一定程度，即为低电平，单片机开始正常工作。 1、上
2022-04-03 09:38:21
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原创 区分推挽输出和开漏输出
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件。输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 高阻，输出0。输出 1 时，N-MOS 高阻，P-MOS 导通，输出1（不需要外部上拉电路）。开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 不被激活，输出0。输出 1 时，N-MOS 高阻，P-MOS 不被激活，输出1（需要外部上拉电路）开漏模式可以读IO输入...
2022-03-29 06:22:09
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原创 Programming Internal Flash Over the Serial Wire Debug Interface
1 Debug Interface Overview1.1 Serial Wire DebugSerial Wire Debug (SWD) is a two-wire protocol for accessing the ARM debug interface.It is part ofthe ARM Debug Interface Specification v5 and is an alternative to JTAG.The physical layer of SWDconsi..
2022-03-26 09:24:35
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原创 查看程序代码量、RAM使用情况
Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write） 初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Initialize） 没有初始化的可读写变量的大小。ZI-data不会被算做代码里因为不会被初始化。简单的说就是在烧写的时候是FLASH中的被占用的空间为：Code+ROData+RWData程序运行的时候，芯片内部RAM使用的空间为：RWData+ZIData:0200000...
2022-03-23 09:29:05
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原创 ARM异常向量表详解
ARM指令是三级流水线就是说取指，译指，执行时同时执行的这样说吧，现在PC指向的是正在取指的地址，那么cpu正在译指的指令地址是PC-4（假设在ARM状态下，一个指令占4个字节），cpu正在执行的指令地址是PC-8.比如有一个向量表定义如下：unsigned int const vecTbl[16] @".arm_vectors" ={0xE59FF018,0xE59FF018,0xE59FF018,0xE59FF018,0xE59FF018,0xE59FF018,0xE59FF01
2022-03-22 10:55:01
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空空如也
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