华大电子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5嵌入式闪存

5. 嵌入式闪存（FLASH）
   5.1. 模块介绍
   华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模块，该模块控制 FLASH 的擦除、编程以及读取数据。上电时会从 FLASH 中读取相关数据进行校验以及初始化配置，保证芯片程序在正确且安全的情况下运行。
   5.2. 功能特点
   • 支持高达 64K 主闪存空间的 FLASH
   • 存储器结构
   – 主闪存空间 64K 字节
   – 副闪存空间 4.5K 字节
   • 指出对闪存空间的擦写、编程和读操作
   • 支持对闪存空间访问限制和擦写保护
   • 支持低功耗模式
   5.3. 功能说明
   5.3.1. 闪存结构
   闪存空间由 32 位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 32 页（每页 1K 字节）分块，以页为单位设置写保护（参见存储保护相关内容）。
   
   注：当主闪存空间 64KB 不够存放用户程序时，可把副闪存空间的扇区 0 至扇区 7 扩展为程序存放空间，即支持 68KB的程序存放空间。
   5.3.2. 闪存读保护
   读操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成，用于存放指令或者数据。当 NVR8 用户配置区经过自定义的保护配置后,SWD 连接时会对 FLASH 的代码数据执行保护机制。
   注：FLASH 运行在 24MHz 工作频率，当系统时钟超过 30MHz 时，需要配置 TIMER_REG0 的 RC 参数，增加时钟周期数再把 FLASH 接口的数据写到寄存器。
   5.3.3. 闪存擦除和烧写操作
   烧写和擦除操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成。烧写和擦除操作由下列 6 个寄存器完成，先根据烧写的时钟配置好烧写时序(TIME_REG1)，再配置烧写密码，配置好编程地址，最后配置好编程数据，即可开始执行烧写，然后等待操作结束。
   烧写操作相关寄存器
   • 时序寄存器 1 ：TIME_REG1
   • 密码寄存器 ：NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD
   • 编程地址寄存器：PROG_ADDR
   • 编程数据寄存器：PROG_DATA
   • 状态寄存器 ：DONE
   擦除操作相关寄存器：
   • 擦除控制寄存器：ERASE_CTRL
   注：需要注意的是，FLASH 在擦除/烧写的同时不可以从 FLASH 取数据，所以 FLASH 在擦除/烧写过程中会让总线停顿，
   直到完成后才能继续运行。