华大电子MCU-CIU32F011x3、CIU32F031x5嵌入式闪存

本文详细介绍了华大电子CIU32F011x3及CIU32F031x5系列微控制器中集成的嵌入式FLASH控制模块的功能与特性。该模块支持高达64K主闪存空间,并具备存储器结构划分、读保护、擦写保护等功能。

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  1. 嵌入式闪存(FLASH)
    5.1. 模块介绍
    华大电子MCU CIU32F011x3、CIU32F031x5 集成了嵌入式 FLASH 控制模块,该模块控制 FLASH 的擦除、编程以及读取数据。上电时会从 FLASH 中读取相关数据进行校验以及初始化配置,保证芯片程序在正确且安全的情况下运行。
    5.2. 功能特点
    • 支持高达 64K 主闪存空间的 FLASH
    • 存储器结构
    – 主闪存空间 64K 字节
    – 副闪存空间 4.5K 字节
    • 指出对闪存空间的擦写、编程和读操作
    • 支持对闪存空间访问限制和擦写保护
    • 支持低功耗模式
    5.3. 功能说明
    5.3.1. 闪存结构
    闪存空间由 32 位宽的存储单元组成,既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 32 页(每页 1K 字节)分块,以页为单位设置写保护(参见存储保护相关内容)。
    在这里插入图片描述
    注:当主闪存空间 64KB 不够存放用户程序时,可把副闪存空间的扇区 0 至扇区 7 扩展为程序存放空间,即支持 68KB的程序存放空间。
    5.3.2. 闪存读保护
    读操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成,用于存放指令或者数据。当 NVR8 用户配置区经过自定义的保护配置后,SWD 连接时会对 FLASH 的代码数据执行保护机制。
    注:FLASH 运行在 24MHz 工作频率,当系统时钟超过 30MHz 时,需要配置 TIMER_REG0 的 RC 参数,增加时钟周期数再把 FLASH 接口的数据写到寄存器。
    5.3.3. 闪存擦除和烧写操作
    烧写和擦除操作在整个芯片工作电压范围内都可以完成。烧写和擦除操作由下列 6 个寄存器完成,先根据烧写的时钟配置好烧写时序(TIME_REG1),再配置烧写密码,配置好编程地址,最后配置好编程数据,即可开始执行烧写,然后等待操作结束。
    烧写操作相关寄存器
    • 时序寄存器 1 :TIME_REG1
    • 密码寄存器 :NVR_PASSWORD/MAIN_PASSWORD
    • 编程地址寄存器:PROG_ADDR
    • 编程数据寄存器:PROG_DATA
    • 状态寄存器 :DONE
    擦除操作相关寄存器:
    • 擦除控制寄存器:ERASE_CTRL
    注:需要注意的是,FLASH 在擦除/烧写的同时不可以从 FLASH 取数据,所以 FLASH 在擦除/烧写过程中会让总线停顿,
    直到完成后才能继续运行。
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