STM32实现掉电保存多个数据（FLASH）

最新推荐文章于 2025-06-18 17:13:33 发布

janson_24

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分类专栏： STM32中级篇文章标签：嵌入式 flash 算法

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本文介绍如何在STM32上实现掉电数据保存，包括初步认识Flash、Flash写入多个数及读取存储数值。文章详细讲解了在STM32闪存中存储数据的过程，包括写入和读取数据的步骤。

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STM32实现掉电保存多个数据

本篇文章的具体内容：
1. 初步认识Flash
2. Flash写入多个数
3. 读取Flash中存储的数值

一、初步认识FLASH

如果想要实现掉电存储，首要的任务就是找到一个地方可以存放这些数据，当这些数据发生改变的时候，把数据存放进去，并且保证上电后不会被擦除。这么一来，等在次上电之后，通过读取掉电前存储的数据，实现掉电存储功能。
可以存放数据的地方可分为在两种片上flash和片外flash，常见的片上闪存有EEPROM，片外的存储芯片有W25QXXX。本篇文章使用的是直接在FLASH中存储。根据不同的芯片类型，闪存的大小都是不一样的。如下图（其他博客截取来的）：
在这里插入图片描述
主控芯片的内存一般可分为8块：存放初始化程序的固化部分、数据段、代码段、堆空间、栈空间等。掉电存储数据的地方在第0块中的某个位置（0X0800 0000 ~0X0808 0000,这个的大小对应芯片闪存大小）只要存放的数据不超出这个范围，一切都好说。

二、FLASH写入数据

通过对上面的了解，大概知道了存放的位置。之后就可以向这个位置里面为所欲为啦？当然不是。下面以STM32标准库为例，你需要在工程里面加入stm32f10x_flash.c文件，这个文件抱恨了很多对flash操作的方法，我们只需要调用这些方法才可以为所欲为。（膜拜驱动大佬）。
怎么实现为所欲为呢？一般有两种：读和写。
写入：检查状态–>解锁–>擦除–>写入–>上锁–>完事。
读取：解锁–>读取–>上锁–>完事。

/*
功能：向flash中写入数据
参数：addr:地址  flashdata1:写入的数据  len:写入长度
返回值：
 */
void FLASH_WriteByte(u32 addr ,uint64_t *flashdata1,uint8_t len)
{
	
		int i = 0;
	
		FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;
		FLASH_Unlock(); //解锁flash

		FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);  //清除标志位

		FLASHstatus=FLASH_ErasePage(addr);   //擦除指定地址页
		
		for(i=0; i<len;i++)
		{
			FLASHstatus=FLASH_ProgramHalfWord(addr+i*4, flashdata1[i]);//从指定的地址写入数据
		}
		FLASH_Lock();//上锁 
}

有了这个函数之后，在封装一个函数，把想要存储的变量数据对应放到一个数组里面，然后将整一个数组写到flash中，实现最终的写入功能。

三、读取FLASH中存储的数据

通过上面的写入函数，就可以把数据写入到flash中了，之后找到同一个地址，将数据读取出来，读取的长度和写进去的长度一致，之后将数据存到一个数组当中，再将数组的值对应赋值给保存进来的时的变量，就可以实现读取功能。

/*
功能：读取FLASH中指定地址的值
参数：addr：起始地址  len：读取的长度
返回值：无
 */
void Read_Flash(uint32_t addr,uint8_t len)
{
	
	uint64_t NEW_ParArry[13] = {0};
	u8 i=0;
	
	uint64_t rdata = 0;
	
	FLASH_Unlock();//解锁flash
	
	for(i=0;i<len;i++)
	{
		NEW_ParArry[i] = *(u16 *)(addr + i*4);    //读取flash地址中的值
	}
	
	FLASH_Lock();//上锁
	
/*********** 重新赋值给变量 ********/		
	
	S_num = NEW_ParArry[0];
    F_num	= NEW_ParArry[1];
	R_num = NEW_ParArry[2];
	total = NEW_ParArry[3];  
	
	I_reg  = NEW_ParArry[4];
	VL_reg = NEW_ParArry[5];
	VH_reg = NEW_ParArry[6]; 
	T_reg  = NEW_ParArry[7]; 
	
	line1 = NEW_ParArry[8];
	line2 = NEW_ParArry[9];
	line3 = NEW_ParArry[10];
	line4 = NEW_ParArry[11];
	line5 = NEW_ParArry[12];
}

最后，只需要在主程序中的适当位置，调用闪存写入函数（一般是当数据发生改变时写入）。但尽量减少写入的次数，flash的读写次数在十万次左右。
STM32实现掉电保存功能的详细工程
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