【转】MemBase,NoSQL家族的一个新的重量级的成员

Membase,一款由NorthScale开发的NoSQL数据库解决方案,已公开发布。它旨在实现简单、快速和弹性,适用于缓存和数据存储。Membase支持多语言复用,易于安装和操作,提供线性扩展能力,确保高可用性和可预测性能。

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原文地址:http://www.infoq.com/cn/news/2010/06/membase

 

在3月23日,North Scale 公开宣布NoSQL数据库解决方案Membase已经可用了。这一发布引发了大量的报导(MarketWire TheRegister GigaOM )。

该产品主要是由North Scale的memcached 核心团队成员开发完成,其中还包括Zynga NHN 这两个主要贡献者的工程师,这两个组织都是很大的在线游戏和社区网络空间的供应商。

其他早期的使用者有mig33  (移动应用) 和 Red Aril  (广告).

Membase LogoMembase 是开源项目,源代码采用了Apache2.0的使用许可。该项目托管在GitHub .Source tarballs 上,目前可以下载beta版本的Linux二进制包。

 

North Scale通过他们的专用服务器软件 对Membase提供商业支持 ,同时增加了对现有memcached服务器 的支持

除了以上的新闻之外,并没有更多的关于数据库的有效技术信息。如果你想了解更多,最好的办法是去读源代码。

在开发Membase的过程中,最主要的目标就是:“简单,快速,弹性”。

Key Value的存储方式保证了其简单性,目前还没有提供额外的查询功能。通过插件架构(通过过滤TAP接口实现回调)可以实现扩展机制,包括全文检索,备份 或数据仓库转储等。其他一些计划中的扩展点有数据bucket一一为特殊的容器类型和将来的“NodeCode”提供引擎API。

Membase容易安装、操作,可以从单节点方便的扩展到集群,而且为memcached(有线协议的兼容性)实现了即插即用功能,在应用方面为开 发者和经营者提供了一个比较低的门槛。做为缓存解决方案,Memcached已经在不同类型的领域(特别是大容量的Web应用)有了广泛的使用,其中 Memcached的部分基础代码被直接应用到了Membase服务器的前端。

 

通过兼容多种编程语言和框架,Membase具备了很好的复用性。在安装和配置方面,Membase提供了有效的图形化界面和编程接口,包括可配置的告警信息。

Membase的目标是提供对外的线性扩展能力,包括为了增加集群容量,可以针对统一的节点进行复制。 另外,对存储的数据进行再分配仍然是必要的。

这方面的一个有趣的特性是NoSQL解决方案所承诺的可预测的性能,类准确性的延迟和吞吐量。通过如下方式可以获得上面提到的特性:

  • 自动将在线数据迁移到低延迟的存储介质的技术(内存,固态硬盘,磁盘)
  • 可选的写操作一一异步,同步(基于复制,持久化)
  • 反向通道再平衡[未来考虑支持]
  • 多线程低锁争用
  • 尽可能使用异步处理
  • 自动实现重复数据删除
  • 动态再平衡现有集群
  • 通过把数据复制到多个集群单元和支持快速失败转移来提供系统的高可用性。

North Scale演示文稿中 的两张幻灯片阐述了更多的技术细节:



 

 Alex Popescu 指出了技术信息的缺乏,并提到了最近被Violin Memory 收购的Gear6 Memcached解决方案 ,Violin Memory是一家提供大量服务器端闪存基础设置的公司。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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