Sql Server 2005 安装和应用时遇到的问题

本文详细记录了SQLServer2005企业版的安装步骤与配置过程,包括.NET Framework安装、混合安全验证设置、TCP/IP启用及常见错误解决办法。

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一直在使用oracle,偶尔用到sql server也是安装客户端而已。这次由于项目原因,需要自己安装sql server 2005 企业版。在安装的过程中遇到了一些问题,都是通过google找到解决方案:

1. 安装过程

这个很简单,先安装最新的.net framework. 然后安装SQLEXPR32_CHS.EXE,最后安装sql server management studio express这个是客户端。安装过程中基本上按照默认选项下一步。只有到配置安全验证界面,如果你需要使用混合安全验证,你需要选择默认的sa用户,然后设置密码。这个也可以在安装完成后设置。参考下面的网页

http://blog.youkuaiyun.com/zhangjf108/archive/2008/12/03/3437467.aspx

 

2.com.microsoft.sqlserver.jdbc.SQLServerException: 到主机  的 TCP/IP

到configuration manager里面,找到sql server 2005网络配置并且展开,然后点击SQLEXPRESS的协议.右边的panel里面的可以看到默认情况下TCP/IP是禁用的。右键点击TCP/IP,选择属性, 将已启用设为true。

 

3.用户 'sa' 登录失败。该用户与可信 SQL Server 连接无关联

1)确认三个数据库驱动文件在项目中

2)确认配置文件中的端口设置是正确的。端口不一定是默认的1433.可以到configuration manager里面找到tcp动态端口,这个端口应该是你连接数据的端口。

3)确认sa用户已经启用,参照第1项中提到的那个网页。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升间(tr)、下降间(tf)、开启间(ton)关闭间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持代理商服务,可为用户在产品选型应用过程中提供有
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