程序员需要了解的一点组织行为学知识

程序员管理技能提升

程序员由于天天和逻辑打交道,所以在世故的人眼里往往显得过于简单。

近来看组织行为学,发现其中一节列了很多特别的技能。

考虑到也许他们对程序员群体很有启示意义,就追加了一点说明,把它放在博客里。

相信这对想成为管理者的程序员是有意义的。

我个人的观点很简单:一个人可以拒绝厚黑和莫名其妙的复杂,但也不能被人认为是傻蛋。

从这个角度看,把这个记下来是有点意义的,当然把这个的优先级抬到基本技术技能之上就走火入魔了。

组织行为学里管下面这些叫做权术手段,但实际上这也是协调各方力量的一些方法。

  • 合法性。强调自己的请求与组织的政策规则一致。

也即是说先让自己占据“名分”,占据道义的制高点。不理解这点的人,往往会把任何请求都变为个人请求,而个人请求往往师出无名。

  • 理性说服。

提出逻辑论据和事实依据来证明请求的合理性。

这点借用的是逻辑的力量,潜在前提是“人是讲道理”的。不理解这点的人,往往会把事情变成01的游戏:要么同意,要么拒绝。

其实这有中间态,即游说后同意。

  • 鼓舞式诉求。

通过所选人物的价值观、需求等来开发情绪承诺。陈胜吴广造反时说:王侯将相,宁有种乎?伐无道,诛暴秦。就是这种。

  • 商议。

通过让他人参与决策如何执行计划和变革来提高对目标的激励,获得更多的支持。

比如说探讨开发日程时如果全员参与了,那么即使估算和实际有偏差,团队也会愿意努力保持自己的承诺。

  • 交换。

通过奖励目标人物一定的利益或好处来交换接下来的请求。

比如说:去阿富汗工作可能比较危险,那么就需要预先承诺工作三年后回来可以得到什么。

  • 个人式诉求。使用友谊或忠诚获得同意。

当一个人日常多为人提供帮助时,那么一旦他需要帮忙时,道义上受过他援助的人很难拒绝。

感觉上这点似乎不是很道德,但原书有这一点,也就不删除了,否则成GFW了。

  • 逢迎。

提出请求前,先吹捧、赞扬或使用友好的行为。

这就是老子说的:预先取之,必先予之。

当一个国家被评选为负责任的大国时,这个国家做事的时候往往就会先考虑是不是对得起这个称号。

  • 施压。

使用警告和威胁,反复重复你的要求。这个某些领导常用,如:如果你不能搞定这个事情,那么就不要回来见我了。

  • 联盟。

寻找他人帮助说服目标人物或利用别人的支持作为他人同意你目标的理由。

这个在山头林立的组织常见,可以成为一种增强自身力量的手段。

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理想流口号:创建超一流方法论,为培育超一流软件公司贡献力量。

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<think>嗯,用户这次想要查询芯片静态电流的技术参数和规格说明,看来是在做芯片选型或电路设计相关工作。从用户引用的材料看,ta已经掌握了基本概念,现在需要更具体的参数解读和获取方法。用户提供的四份引用材料很有价值:[^1]强调静态电流对芯片寿命和效率的影响,[^2]区分了静态电流关断电流,[^3]详细解释了规格书参数(特别是IQ和IOFF),[^4]则涉及具体测试场景。用户显然已经做过功课,但可能被规格书里庞杂的参数搞晕了。重点应该帮用户梳理三个维度:第一是参数定义(如IQ/ISB/IOFF的区别),这点引用[^3]说得最清楚;第二是典型参数项(列表形式用户更易对照);第三是落地建议(查哪里、怎么查)。用户可能遇到的实际困难是:看到规格书里一堆电流值却分不清哪个是核心参数。特别要注意用户上次对话的系统指令——必须严格使用$...$格式表示数学变量。比如静态电流$I_Q$和关断电流$I_{OFF}$的标注要规范,这在技术文档里很重要。用户没提具体芯片型号,所以回复要兼顾通用性。可以举例说明不同器件(MCU、DCDC)的典型值范围,这样用户能自行类比。最后一定要强调规格书的重要性,毕竟第三方资料可能有误。</think> 根据您的需求,我结合技术规范整理了芯片静态电流的核心参数说明及其获取方法: --- ### 一、静态电流核心参数定义 1. **静态电流$I_Q$** - 芯片在**开启状态但无负载**时的供电电流 - 典型标注:$I_Q = 15 \mu A$ @ 3.3V, 25°C(需标注电压/温度条件) - 直接影响电源效率:$\eta = \frac{P_{out}}{P_{out} + V_{in} \cdot I_Q}$[^3] 2. **关断电流$I_{OFF}$** - **禁用状态**下电源引脚泄漏电流 - 典型值:$I_{OFF} < 1 \mu A$ @ VIN=5.5V(电池供电设备关键指标)[^2] 3. **待机电流$I_{SB}$** - **部分功能休眠**时的维持电流 - 如MCU的Sleep模式:$I_{SB} = 0.5 \mu A$ with RTC active[^1] --- ### 二、规格书关键技术点 | 参数 | 测试条件 | 典型值范围 | 影响维度 | |---------------|--------------------------|---------------|-------------------| | $I_Q$ | $V_{IN}=3.3V$, 空载 | 1μA ~ 10mA | 常温功耗 | | $\Delta I_Q / \degree C$ | 温度扫描 | ±0.5%/°C | 高温可靠性[^3] | | $I_{OFF}$ | $EN=0V$, $V_{BAT}=4.2V$ | 50nA ~ 5μA | 电池待机寿命 | | Burst Mode IQ | 轻载脉冲模式 | 降至20% $I_Q$ | 动态效率优化 | --- ### 三、获取参数的关键步骤 1. **定位参数章节** - 查找 **"Electrical Characteristics"** 表格 - 重点关注 **"Quiescent Current"**, **"Shutdown Current"** 条目 2. **识别测试条件** ```markdown STM32L4 MCU示例: - $I_{RUN} = 100\mu A$ (Run mode @ 32MHz) - $I_{STOP} = 1.3\mu A$ (RAM retention) - $I_{STANDBY} = 0.4\mu A$ (RTC唤醒) [^1] ``` 3. **验证测试环境** - 确认是否包含: $$ \frac{\partial I_Q}{\partial T} = k $$ $$ I_Q \propto \ln(V_{IN}) $$ --- ### 四、应用选型建议 1. **电池设备优先**:选$I_Q<10\mu A$ & $I_{OFF}<100nA$的芯片 2. **高精度测量场景**:核查温度系数$\alpha_T < 0.3\%/^\circ C$ 3. **动态调整需求**:选择带Burst Mode/PFM的DCDC(轻载$I_Q$可降80%)[^3] > 📌 **重要提示**:实际参数值需以**芯片最新规格书**为准,厂商通常提供: > - 完整测试报告 (如TI的IBIS模型) > - 在线参数筛选工具 (如Infineon的IPC) ---
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