PVT（Process Voltage Temperature）

芯片制造是一个物理过程，存在着工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），导致不同批次之间，同一批次不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的。
在一片wafer上，不可能每点的载流子平均漂移速度都是一样的，随着电压、温度不同，它们的特性也会不同，把他们分类就有了PVT（Process，Voltage，Temperature）。

Process Corner

Process分为5个不同的corner（第一个字母代表NMOS，第二个字母代表PMOS）：

1. TT：Typical N Typical P
2. FF：Fast N Fast P
3. SS：Slow N Slow P
4. FS：Fast N Slow P
5. SF：Slow N Fast P
   Process Corner都是针对不同浓度的N型和P型掺杂来说的。NMOS和PMOS在工艺上是独立做出来的，彼此之间不会影响。通过Process注入的调整，模拟器件速度快慢，同时根据偏差大小设定不同等级的FF和SS。正常情况下大部分是TT，而以上5种corner在+/-3sigma可以覆盖约99.73%的范围，这种随机性的发生符合正态分布。
   根据偏差大小设定不同等级的 FF 和 SS，如 2FF 表示往快的方向偏2个Sigama，3SS 表示往慢点方向偏3个Sigama，1.5SS 表示往慢点方向偏1.5个Sigama 。