英特尔3-D三栅极晶体管设计被美媒体评为2011年度科技创新奖
C114讯 《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”,英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果,其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计投入批量生产,开启了摩尔定律的又一个新时代,并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。
《华尔街日报》在2011年科技创新奖的报告中,如此评价这
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2011-10-21 16:35:18 ·
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