SSD基本工作原理了解

SSD与RAM的原理有些类似，RAM使用晶体管和电容来表示0或1，晶体管用于将电荷转移到电容器或从电容器中吸取电荷，并且电荷必须每几微秒刷新一次。

而SSD相比于RAM的非易失性来自于其使用的浮栅晶体管。其创造了一个小笼子，不需要外界的电容来保持充电，并通过鼓励电子通过量子隧穿效应来进出笼子。

储存介质

NOR

使用晶体管最简单的方法是将每一行和每一列连接在一起，以便读取每个单独的位。这种特殊的布局在NOR flash中使用。连接每一行的电路称为“word line”，而连接每一列的电路称为“bit line”。读取操作在这种情况下非常简单:对每个word line施加一个电压，bit line将根据每个单元格存储的是0还是1来显示电压(或不显示)。

为了更详细地理解它是如何工作的，我们必须首先了解浮栅晶体管。一个普通的晶体管有三种连接方式，根据所用技术的不同分别命名为gate、drain和source

当电压加到gate时，电流就可以从source流向drain。当在栅极上施加低电压时，从source流向drain的电压与栅极电压成比例变化(因此，低栅极电压导致source流向drain的低电流，高电压导致高电流)。当栅极电压足够高时，比例响应停止。这使得晶体管既可以用作放大器(应用于门极的小信号会在source极产生成比例的大信号)，也可以用作开关(仅在门极使用高电压或零电压，source极和drain之间要么有大电流，要么没有电流)。

浮动栅极位于栅极和晶体管的其余部分之间，它在一个重要的方面改变了栅极的行为。所述晶体管的浮栅部分中包含的电荷改变所述晶体管的电压阈值。当栅极电压高于某个值(称为Vread)时，通常在0.5 V左右，开关将始终闭合。当栅极电压低于这个值时，开关的开度由浮动栅极决定。

如果浮栅没有电荷，那么在栅上施加一个低电压仍然可以关闭开关，并允许电流从source流向drain。如果浮栅确实储存一个电荷，那么完整的Vread电压需要被施加到栅极以使电流流动。也就是说，无论浮栅是否包含电荷，晶体管的栅极必须施加多少电压才能导通或不导通。