huxyc的博客

在嵌入式系统开发中，MCU（微控制器）的启动过程是一个至关重要的环节。当MCU上电或复位后，它会从一个特定的地址开始读取并执行代码。这个地址通常是MCU内存空间中的最低地址，即0x00000000。本文将深入探讨MCU启动后去哪里读代码，并通过代码分析来进一步说明这一过程。

1，先从用户模式切换成工厂模式将设备开机，并插USB线到电脑上，安装电脑弹出的光盘，电脑的设备管理器-网络适配器 哪里会出现RNDIS网口。电脑通过RNDIS网口获得IP后，在浏览器输入或者取决于软件的IP地址当返回successfully代表执行成功。然后拔插一下电脑上的USB线， 重新插入后，设备管理器-端口处会出现2个未知设备，此时我们安装端口的驱动。驱动文件为：ZTE_Develop_Driver.exe安装成功后，会出现AT以及Log 2个端口，然后对AT端口发送AT指令。

在我们电路设计的过程中，有时候会用到运放跟随器，它的输入电压等于输出电压，放大倍数是1。好多人都会有个疑问，这相当于没有放大，省掉不是更好，还节约一颗运放的钱？这话听起来好有道理。但我们用的每一颗芯片或者一颗电阻电容，都是有讲究的，不会凭空把它加上，增加成本。如上图：这是一个电压跟随器，它的输入电压Vin基本等于输出电压Vout，放大倍数为1。试问，这个运放可不可以不要?主要是在一些精度要求比较高的场合，要求不高的话，可以直接电阻分压过去。

射频辐射还会对眼睛的其他部位如结膜、角膜、虹膜、眼底等造成损害，包括易疲劳、视力下降、结膜充血、角膜损害、视网膜黄斑区出现灰褐色斑、黄斑区陈旧性病变、对光反应弱、眼底小血管痉挛、出血和视网膜细小出血点等。动物实验得出的结果表明，射频辐射的免疫效应与功率密度和曝露时间有关，功率密度较大时，短期曝露可刺激机体的免疫功能，长期曝露则抑制免疫功能。电磁辐射对人体会产生热作用，由于神经细胞对温度的耐受性比较低，因此热效应对脑功能及形态的影响比较明显，通常会出现意识、思维、情感、行为及记忆等障碍。

模电与数电在传统电子工程中似乎被划分为两大领域，然而，它们实际上是对同一器件的不同应用方法。这种观念有助于我们理解元器件在各种工作状态下的多样性，并在复杂的电路设计中实现更高效的系统集成。三极管是模拟电路和数字电路的经典实例。在模拟电路中，三极管工作在放大区，主要用于信号放大。放大区设计侧重于精确调节输入与输出的增益、稳定性和噪声特性，通常应用于音频放大器、射频放大器等对线性度和信号保真度有高要求的场合。然而，当三极管工作在截止区和饱和区时，就转变成了数字电路中的开关。

不同频率的电磁波对人体的作用机理和生物效应存在着差异：低频电磁场（频率为Hz级），主要作用机制是在生物组织中产生感应电流，影响有机组织表面的电荷分布，让电流从生物体向接地等电位点流动。超出这个标准所带来的危险没有明确的证据证明对人体健康的永久伤害，也许就象剧烈运动拉伤肌肉、吃太辣的辣椒辣坏了胃，烤火烫到了皮肤，喝开水烫到了舌头这些例子那样。电磁波是电磁场在空间传播的形式。自然界有多种电磁波辐射源，我们生活的世界中充满了电磁场，特别是手机普及以来，我们整天沐浴在这无边无际的电磁场海洋中，这对人体有危害吗？

5GHz WiFi频段被划分为多个Band，这主要是基于国际通信标准和各国监管机构的规定。

，BSSID是一个BSS的标识，BSSID实际上就是AP的MAC地址，用来标识AP管理的BSS，在同一个AP内BSSID和SSID一一映射。多个BSS可以构成一个扩展网络，称为扩展服务集（ESS）网络，一个ESS网络内部的STA可以互相通信，是采用相同的SSID的多个BSS形成的更大规模的虚拟BSS。当STA找到与其有相同SSID的AP，在SSID匹配的AP中，根据收到的AP信号强度，选择一个信号最强的AP，然后进入认证阶段。至此，接入过程才完成，STA初始化完毕，可以开始向AP传送数据帧。

通过短路臂，工作中的PIFA可以与PCB的地平面建立强连接，再加上相当高的带宽，使得这种天线面对周围环境变化表现十分稳健。PIFA 作为一种提供混合极化方向的全向性天线，经实践证明不仅适用于静态应用，也特别适合经常移动位置、使用环境不断变化的设备，比如可穿戴设备和移动设备。由于单极天线本来就是电容性的，利用增加的电感，可将天线匹配到所需的阻抗（通常为 50Ω），这就是短路臂的真正用途。PIFA像贴片天线一样，是窄频带天线。由于天线的位置在PCB板上方，且平行于PCB板，所需的空间就只是安装引脚占用的地方。

如上所述，以每个位置为中心的体积应该向所有方向扩展，直到达到质量的期望值，并且平均体积的表面边界不会延伸到所考虑区域的最外表面之外。保留所有用于平均SAR的位置和未用于平均SAR的位置的参考。如果某个位置已标记为已使用，但从未分配给立方体的中心，则将使用该位置进行平均的所有其他立方体体积的最高平均SAR值分配给该位置。对于未使用位置的情况，必须构建一个新的平均体积，该平均体积将使未使用位置以立方体的一个表面为中心。在六个可能的立方体中，有一个面以未使用的位置为中心，使用最小的立方体，它仍然包含所需的质量。

1、对于因反复短时操作频率过高或机械故障使热继电器不能动作，导致热元件烧断或脱焊的拒动故障，应更换新的热继电器或选择带速饱和电流互感器的热继电器。热继电器的常见故障有拒动、误动和动作不稳定。2、处理完速度继电器故障后，还应检查速度继电器活动部分是否灵活可靠，清除部件表面污垢，检查安装是否牢固、到位。2、处理时间继电器故障时，测量继电器的线圈，首先应判断线圈是否存在开路，再检测线圈的阻值是否正常。3、处理半导体时间继电器的延时电路故障时，延时的长短与电阻值的大小和电容器的电容量有直接关系。

Q1为PNP三极管，其发射极到基极有电流，使Q1的发射极与集电极导通，次极充电绕组的感生电动势形成的对外电压通过E、D1、F、G、Q1、R1、H点所形成的通路，加到D3双向触发二极管，D3获得高电平触发导通，接着单向可控硅D4的G极得到高电平，其G极与K极导通，从而形成从次极充电绕组的感生电动势正流出电流经E、D1、F、G、Q1、R1、H、D3、D4的G极与K极、I、J、K、L点流回次极充电绕组的感生电动势负，构成第三条电流回路。总之，弄懂电流回路很重要，看不懂的电路往往是由于没搞清电流回路造成的。

三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！优点，电路简单，BOM成本低！对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？

串行通讯是指仅用一根接收线和一根发送线就能将数据以位进行传输的一种通讯方式。尽管串行通讯的比按字节传输的并行通信慢，但是串口可以在仅仅使用两根线的情况下就能实现数据的传输。典型的串口通信使用3根线完成，分别是地线、发送、接收。由于串口通信是异步的，所以端口能够在一根线上发送数据同时在另一根线上接收数据。串口通信最重要的参数是波特率、数据位、停止位和奇偶的校验。对于两个需要进行串口通信的端口，这些参数必须匹配，这也是能够实现串口通讯的前提。图1：串行通讯示数据传输意图。

ZigBee 技术在 IEEE 802.15.4 的推动下，不仅在工业、农业、军事、环境、医疗等传统领域取得了成功的应用，在未来其应用可能涉及人类日常生活和社会生产活动的所有领域，真正实现无处不在的网络。

同时相同电压的情况下，一个电容器能够容纳的电量是一定的，电容的电容值表示了这个能力，它是由导体面积S、导体间距d影响着电荷的相互作用力，决定的。实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质，在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，这种微小电流称为漏导电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。介电损耗是频率的函数。当介质不是均匀的、各向同性的时候，或者存在电场的极化、电荷等复杂情况时，我们需要考虑电场的扩散以及电场强度分布的改变，这时候通常需要引入4π来描述电场的发散情况。

瞬态电压抑制 (TVS) 二极管是一种常用于保护设备免受与静电放电 (ESD) 相关的瞬态事件影响的组件。（不要将TVS管与齐纳二极管或肖特基二极管混淆。它由一个 pn 半导体结组成，该结在瞬态电压尖峰期间变为导通状态。在正常情况下，TVS 二极管具有高阻抗和极低的漏电流，实际上相当于开路。当瞬态电压抑制器上的电压上升超过其阈值电压时，半导体中的雪崩效应会导致 pn 结开始导电，从而提供一条低阻抗路径，将过大的电流从受保护的设备中导出。

充电时间指将内电荷储存为一定的电量所需的时间。在实际生产和生活中，常需要通过该参数来计算对电容器进行充电或放电时的时间。下面我们就来介绍一些计算电容充电时间的方法和公式。

PNP加速关断电路是目前应用最多的电路，在加速三级管的作用下可以实现瞬间的栅源短路，从而达到最短的放电时间，之所以加二极管一方面是保护三级管基极，另一方面是为导通电流提供回路及偏置，该电路的优点为可以近似达到推拉的效果加速效果明显，缺点为栅极由于经过两个PN节，不能是栅极真正的达到0伏。栅极关断时，电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时，这时二极管会导通，从而将电阻进行旁路，导通后，随着电流的减小，二极管在电路中的作用越来越小，该电路作用会显著的减小MOSFET关断的延迟时间。

无线信号的发射功率和接收功率之间的关系可以用式（1）表示，PR是无线信号的接收功率，PT是无线信号的发射功率，r是收发单元之间的距离，n传播因子，数值大小取决于无线信号传播的环境。式（3）的左半部分10lgPR是接收信号功率转换为dBm的表达式，可以直接写成式（4），在式（4）中A可以看作信号传输1m远时接收信号的功率。距离= 10 ^（（27.55-（20 * log10（频率））+ signalLevel）/ 20）节点的发射功率是已知的，将发送功率代入式（2）中可得式（3），

通常，在设备开机时，220V交流电压经熔断器、热敏电阻器、桥式整流堆后为电容进行充电，根据电容器的特点，其瞬间充电电流为最大，从而可能产生浪涌电流，对前级电路中的桥式整流堆、熔断器等带来冲击，造成损坏。另外，在一些电路中采用桥式整流堆作为整流器件，它实际上是将四个整流二极管集成在一起的整流器件，外部具有四个引 脚，其中两个引脚输入交流电压，另两个引脚输出直流电压，其电路功能及原理与桥式整流电路的电路功能及原理均相同。在电源电路中滤波电容器是最容易识别的器件之一，通常它是电路中最大的电容器。

既然是绝缘材质，当左侧输入端正弦波电流时，左侧的正电荷逐渐增多，把右侧的负电荷逐渐吸过来，把正电荷排斥走。在右侧测到的电荷流动规律与左侧的流动规律近似，可是，它是左面的电荷流过电容中间的绝缘介质通过去的吗？还有一个，左面的电荷量如果很大，而右面的金属导线和电路内电荷又很有限的话，左面的大I，能在右面也感应出相同的大I来吗？第一个问题：请问电容中间的介质是绝缘材质还是导电材质？如果是导体材质，那岂不是成了大电阻。习惯性的认为，电容就是“隔直流、通交流”的，细看下这张图杠一杠。

与此同时，感应电压给C1充电，随着C1充电电压的增高，VT1基极电位逐渐变低，致使VT1退出饱和区，Ic 开始减小，在L2 中感应出使VT1 基极为负、发射极为正的电压，使VT1 迅速截止，这时二极管VD1导通，高频变压器Ｔ初级绕组中的储能释放给负载。当开关管VT1 导通时，二极管VD1 截止，输人的整流电压经VT1和L向Ｃ充电，这一电流使电感Ｌ中的储能增加。当开关管VT1 截止时，电感Ｌ感应出左负右正的电压，该电压叠加在输人电压上，经二极管VD1向负载供电，使输出电压大于输人电压，形成升压式开关电源。

P和n都可以从电动机铭牌中直接查到，因为P、n都是电动机的额定值，故T为电动机的额定转矩。异步电动机转子的转速n与定子旋转磁场的转速n1之间存在着转速差，此转速差是定子旋转磁场切割转子导体的速度，其大小决定着转子电动势及其频率的大小，直接影响到电动机的工作状态。电动机定子三相绕组通入三相交流电流，建立定子三相合成旋转电动势并产生旋转磁场，旋转磁场流经气隙的磁通称为气隙主磁通，它是电动机进行能量转换的媒介。电动机的效率是指电动机能量转换的效率，等于电动机输出的机械功率与输入的有功功率之比的百分数。

无刷电机本质是根据右手螺旋定则来切换电流方向以产生旋转，并且根据霍尔元件检测出转子的位置，及时切换电流方向，为了效率更高，便采用星型接法。

至此，这个设计已不是一个硬件工程师所能实现的了，除了单板硬件本身，还需要复杂的结构设计，散热设计，安规和EMC设计，工艺设计，生产测试设计，除此之外更需要各层软件设计需求。引入了电路分析，发展了电路的稳定性理论，之后你的五管运放终于可以运行了，但你对增益还是不满意，你知道增益必须变得更大，但过多的级联会导致电路不稳定，天才的你反其道而行之，使用电流—电压反馈影响输出阻抗的思路，设计出了人类历史上第一个。你开始研究，最终你搞出来了一个叫做cascode的结构，这个结构可以变大阻抗，你发展了级联的思想，把。

但由于其处于人耳可听频率中，因此当基板上贴装的功率电感器中流过间歇工作的电流时，电感器主体将会因频率影响而发生振动，从而导致出现啸叫。磁致伸缩导致的外形变化极其微小，约为原尺寸的1万分之1～100万分之1，但如图5所示，在磁性体上绕有线圈的状态下流过电流，当施加所产生的交流磁场时，磁性体将会反复伸缩，并产生振动。在DC-DC转换器的功率电感器中，当流过人耳可听范围频率的交流电流以及脉冲波时，电感器主体会发生振动，该现象称为"线圈噪音"，有时也会被听成啸叫现象(图1)。该能量的大小与电感器电感值成正比。

mos管有三个工作区域：截止区域线性（欧姆）区域饱和区域当 VGS < VTH时，mos管工作在。在该区域中，mos管处于关断状态，因为在漏极和源极之间没有感应沟道。对于要感应的沟道和mos管在，VGS > VTH。栅极 - 漏极偏置电压 VGD将决定mos管是处于线性区还是饱和区。在这两个区域中，mos管处于导通状态，但差异在线性区域，沟道是连续的，漏极电流与沟道电阻成正比。进入饱和区，当 VDS > VGS – VTH时，通道夹断，即它变宽导致恒定的漏极电流。

首当其冲我们想到的就是二极管了，运用其单向导通特性可有效防止电源反接而损坏电路，但是随之而来的问题是二极管存在PN节电压，通常在0.7V左右，低电流是影响不明显，但流过大电流时，如流过1A电流其会产生0.7W的功耗，0.7W的功耗发热对元件本身及周边元件的可靠性是个非常大的考验。当输入上正下负时，下图黄色线条所示电流路径，经过R1、R2，MOS寄生二极管到地,R1与R2分压后其GS极电压大于MOS导通电压Vgs，MOS导通，红色线条所示的整个电路回路接通。可见二极管防反接最大问题是管压降，越低损耗就越小。

因此，在电子电路设计中，旁路电容是一种不可或缺的电子元器件，它能够用于电源滤波，0.1uF的电容是最常用的旁路电容之一，它的电容值大小合适、成本低廉，而且经过实际验证，具有良好的频率响应特性，成为了电路设计中的理想选择。这个值又是怎么来的呢？如上图所示，ESR是电容的串联等效电阻，ESL是电容的串联等效电感，C是真正的理想电容。ESR是描述电容内部电阻的，纯粹的容性负载是不消耗功率的，而由于ESR的存在，电容就会做功，从而导致温度上升，0.1uF ESR内部电路较小，电容做功小，不会对电路温度影响。

这种电路可以随意弯曲、折叠，重量轻，体积小，散热好，安装方便，突破了传统的互连技术。将烙铁的温度调到300摄氏度以上，在烙铁的尖端沾上少量焊锡，用工具将对齐好的芯片压下，在两个对角引脚上加入少量焊锡。在一些柔性电路中，使用由铝或不锈钢制成的刚性元件，可以提供尺寸稳定性，为元件和导线的放置提供物理支撑，并消除应力。此外，柔性电路中有时还会用到另一种材料，那就是粘接层，它是在绝缘膜的两面涂上粘合剂形成的。对于特别高速的产品，在使用FPC的时候，为了减少一些网格铜对信号的影响，通常在信号线下采用实铜作为参考。

在温度补偿电路利用的是稳压二极管的温度系数，如图3是用温度互补型稳压二极管构成的稳压电路，采用互补型稳压二极管对于稳压要求较高的电路当中，特别是温度对电压的影响，这种具有温度互补特性的稳压二极管内部其实有两只普通的稳压二极管，但是它们的温度特性相反，当温度升高或下降时，一只二极管的管压降下降，另一只二极管的管压降升高，这样两只二极管总的管压降保持不变，起到到温度补偿作用。电路中，VD1是稳压二极管，Rl是VD1的限流保护电阻。电路中，K1是继电器，VD1是稳压二极管，Rl是限流保护电阻，RL是负载电阻。

根据发射结和集电结的偏置状态，可以定义三极管的几个不同的工作区。截止区：当发射结电压小于导通电压（约0.6-0.7V），发射结没有导通，集电结处于反向偏置，三极管没有电流放大作用，相当于一个断开的开关。放大区：当发射结电压大于导通电压，发射结正偏，集电结反偏，三极管的基极电流控制着集电极电流，集电极电流与基极电流近似于线性关系，三极管起到电流放大作用，相当于一个可调的电阻。

当三极管导通时，也是两路电流都汇合后从三极管的CE流过，内部电阻上的电流仍为0.1mA，发光管上的电流就要由电阻Ri和发光管共同来保证不让三极管的CE超过15mA，则电阻的确定为（5V－2.1V）÷15mA＝0.193K，大约是200欧姆。当三极管截止后，就阻断了这两路电流的通路，因此不消耗电流。不是的，因为上面还有个电阻，它就相当于是个固定开度的阀门，它串在这个主水管的上面，当下面那个可控制的阀开度到大于上面那个固定电阻的开度时，水流就不会再增大，而是等于通过上面那个固定阀开度的水流了，因此，

众所周知，IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合，它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构，因此也可以加入漂移区的电阻。此外，当栅极-发射极电压低于阈值电压时，会有少量漏电流流过 IGBT ，此时，集电极-发射极电压几乎等于电源电压，因此，四层器件 IGBT 工作在截止区。，该图与 BJT 的图相似，只是图中保持恒定的参数是 VGE，因为 IGBT 是电压控制器件，而 BJT 是电流控制器件。现在要关断 IGBT，我们需要典型的换流电路，例如晶闸管强制换流的情况。

磁的基本知识。

同时由于近场场强的强度随距离的变化强烈，所以，位置的微小变化都会引起较大的测量误差。实际中，进出EUT的电缆与参考大地之间就形成一个偶极子天线，只不过两根天线的夹角不是上图的180°，而是0°。实际中，PCB走线的环路，进出EUT的电缆正负极之间的差模电流回路，都是环形天线，都会向外辐射信号，同时也容易接收其它设备发出的干扰信号。即频率为10MHz的电磁波发射源，在离发射源大于4.77米时，为远场，小于4.77米时，为近场。则，对于上面所说的偶极子天线，其E大于H，则Z0较大，所以电场源又称高阻抗场源；

电感磁芯每磁化一周期，就要损耗与磁滞回线包围面积成正比的能量，频率越高，损耗功率越大，磁感应摆幅越大，包围面积越大，磁滞损耗越大。所谓弛豫是指在磁化或反磁化的过程中，磁化状态并不是随磁化强度的变化而立即变化到它的最终状态，而是需要一个过程，这个‘时间效应’便是引起剩余损耗的原因。电感磁芯是由线圈和磁芯以及封装材料组成的，线圈主要起导电作用，即磁芯是由磁导率高的材料组成，把磁场紧密地约束在电感元件周围增大电感。总结：在总损耗主要是由磁芯损耗而不是铜损耗引起的电感器用途上，可用磁导率较低的磁芯材料改进。

理想的时钟信号其基波的频谱应该是一根很窄的谱线，但实际上由于相位噪声的存在，其谱线是比较宽的一个包络，这个包络越窄，说明相位噪声(抖动)越小，信号越接近理想信号。为了更方便观察低频的干扰，在相位噪声测中通常会以信号的载波频率为起点，把横坐标用对数显示，其横坐标反映的是离信号载波频的远近，纵坐标反映的是相应频点的能量和信号载波能量的比值。总之，这三种抖动都是衡量时钟本身性能的指标，在不同的应用背景下需要关注不同的指标，通常时钟芯片的手册会给出对时钟的抖动指标要求。相位噪声的大小和频率分布与抖动的性质有关。