ME-14(遗珠?)

缩略语全称中文释义
ACEAmmo, Casualties, and Equipment弹药、伤亡和装备
AOArea of Operations作战区,任务区
CCConvoy Commander护送指挥官
CIMICCivil-military Cooperation军民融合
CISCommunication and Information Systems通信信息系统
CMCCentral Military Commission中央军事委员会
COcommissioned officer军官
COSChief of Staff参谋长
CPcheckpoint检查站,关卡
CSWCrew-Served Weapon护送,协同操作武器;数人操作武器
DCDeputy Commander副指挥官
DoDDepartment of Defense国防部
DOSDirector of Staff参谋主任
ECMElectronic Countermeasures电子对抗
EODExplosive Ordnance Disposal爆炸物处理;销毁爆炸物
ETAestimated time of arrival预计到达时间
ETDestimated time of departure预计出发时间
G ENGEngineer Division工程处
HQheadquarters司令部
IAimmediate action立即行动
IDFIndigenous Defense Fighter自制防御战机
IEDimprovised explosive device简易爆炸装置
IFVInfantry fighting vehicle步兵战车
LZlanding zone着陆区
MBTmain battle tank主战坦克
MEDIVACmedical evacuation医疗后送
METT-TCmission, enemy, terrain, troops available, time, and civilian considerations任务,敌情,地形,现有兵力,时机及民情
MGRSMIlitary Grid Reference System军事网格坐标
NCOnon-commissioned officer士官
OPobservation post监视哨,观察站
OPRofficer of primary responsibility责任军官
PIOPublic Information Office新闻处
prowordsprocedure words电台通信业务用语
QRFQuick Reaction Force快速反应部队
RAFRoyal Air Force皇家空军
RNRoyal Navy皇家海军
ROERules of Engagement交战规则
RPrelease point释放点,脱离点
SGSupport Group保障大队
SPstart point出发点
SPTHeadquarters Support Group司令部保障大队
UTMUniversal Transverse Mercator通用横轴墨卡托投影
(Kriging_NSGA2)克里金模型结合多目标遗传算法求最优因变量及对应的最佳自变量组合研究(Matlab代码实现)内容概要:本文介绍了克里金模型(Kriging)与多目标遗传算法NSGA-II相结合的方法,用于求解最优因变量及其对应的最佳自变量组合,并提供了完整的Matlab代码实现。该方法首先利用克里金模型构建高精度的代理模型,逼近复杂的非线性系统响应,减少计算成本;随后结合NSGA-II算法进行多目标优化,搜索帕累托前沿解集,从而获得多个最优折衷方案。文中详细阐述了代理模型构建、算法集成流程及参数设置,适用于工程设计、参数反演等复杂优化问题。此外,文档还展示了该方法在SCI一区论文中的复现应用,体现了其科学性与实用性。; 适合人群:具备一定Matlab编程基础,熟悉优化算法和数值建模的研究生、科研人员及工程技术人员,尤其适合从事仿真优化、实验设计、代理模型研究的相关领域工作者。; 使用场景及目标:①解决高计算成本的多目标优化问题,通过代理模型降低仿真次数;②在无法解析求导或函数高度非线性的情况下寻找最优变量组合;③复现SCI高水平论文中的优化方法,提升科研可信度与效率;④应用于工程设计、能源系统调度、智能制造等需参数优化的实际场景。; 阅读建议:建议读者结合提供的Matlab代码逐段理解算法实现过程,重点关注克里金模型的构建步骤与NSGA-II的集成方式,建议自行调整测试函数或实际案例验证算法性能,并配合YALMIP等工具包扩展优化求解能力。
### 如何使用 DNW-NMOS 晶体管 #### 特性概述 DNW (Deep N-Well) 工艺允许 NMOS 的源极和衬底连接在一起,这使得 Vbs(体效应/背栅效应)能够被有效管理。对于制作在 P 阱中的 NMOS 管而言,这种结构是可以实现的[^1]。 #### 设计考虑因素 当设计基于 DNW 的电路时,重要的是理解其独特的电气特性以及如何利用这些特性优化性能。由于源极可以直接连到衬底上,在某些情况下可以减少寄生电容的影响并改善器件的整体表现。 #### 参数设置指南 为了正确配置 DNW-NMOS 器件,建议查阅对应技术节点下的 Process Design Kit (PDK),这是由制造商提供的用于描述特定制造流程下可用组件特性的工具包。尽管有时官方文档可能不会详尽无遗地解释每一个细节,但 PDK 中通常包含了足够的信息来指导设计师完成必要的参数设定工作[^2]。 #### 实际应用实例 下面是一个简单的例子展示如何定义一个带有深N阱(NMOS)晶体管: ```verilog // 定义模块端口列表 module example_DNW_NMOS ( input wire in, output wire out, supply0 vss, // 地线 supply1 vdd // 电源正极 ); // 创建内部信号net wire net_gnd; assign net_gnd = 1'b0; // 描述NMOS晶体管实例化语句 nmos n_inst (.D(out), .G(in), .S(net_gnd), .B(net_gnd)); endmodule :example_DNW_NMOS ``` 在这个Verilog代码片段中,“`nmos`”表示创建了一个标准的NMOS晶体管;而通过将源极(S)和体(B)都接地(`net_gnd`)实现了DNW效果。
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