《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集17

一：《氮化物深紫外LED研究新进展》

二：《钝化方法》

三：《多孔低k湿刻蚀》

四：《发光二极管材料生长技术》

五：《改善刻蚀均匀性的技术》

六：《化学机械抛光材料去除机理》

七：《光学薄膜的湿刻蚀》

八：《光学微机电系统》

九：《硅和sio2的湿式化学蚀刻》

十：《硅片超声清洗方法及配置》

十一：《光刻胶剥离清洗》

十二：《金属辅助化学刻蚀》

十三：《晶体硅刻蚀技术》

十四：《晶圆边缘清洗工艺》

十五：《晶圆臭氧清洗技术》

十六：《晶圆二流体清洗方法》

十七：《底层薄膜对化学机械抛光的影响》

十八：《第三代宽带隙半导体氮化镓器件研究进展》

十九：《氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积》

二十：《等离子体对有机污染物去除效率的影响》