《炬丰科技-半导体工艺》 玻璃薄化蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：玻璃薄化蚀刻
编号：JFKJ-22-1704
作者：华林科纳

本研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案，为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响，阴离子表面活性剂的加入提供了防止由蚀刻反应产生的淤渣粘附的功能，一种新的配备有流动发生部件的湿法蚀刻试验装置被用于测试商用无碱玻璃和钠钙玻璃的蚀刻，通过使用中试装置，将厚度为640µm的无碱玻璃和厚度为500 µm的钠钙玻璃分别蚀刻至45 µm和100 µm，在通过中试装置进行蚀刻之后，玻璃表面的粗糙度保持在0.01∼0.02 µm，本研究为大幅度降低氢氟酸的浓度，制备了加入NH4F、NH4HF2等含氟化合物及硫酸、硝酸等的混酸溶液，与现有氢氟酸基蚀刻溶液相比，不仅探讨了蚀刻速度，还探讨了蚀刻后的拟玻璃外观状态、表面照度等。作为将大型玻璃薄板化到100µm以下的新系统，制作了淤积水流方式的导风装置，并对其性能进行了探讨。
烧杯实验采用40×50mm尺寸切割LCD用无碱玻璃，以简单沉积方式探讨了蚀刻溶液的组成及温度的影响，将制备的昵称溶液200 mL装入塑料材质的烧杯中，将玻璃沉积于装有蚀刻溶液的烧杯中，蚀刻10_{20分钟，实验中，为了去除玻璃表面的污泥，每隔2}3分钟摇晃玻璃。
为了保持恒温，把烧杯放在恒温箱里做了实验，蚀刻一段时间后，将玻璃从烧杯中取出，用蒸馏水清洗，并擦拭玻璃表面不留污渍，用肉眼检测了蚀刻后玻璃表面的波浪、划痕、英尺、污渍等，使用表面照度仪测量表面照度，另一方面，为了防止蚀刻中产生的污泥附着在玻璃表面的现象，探讨了阴离子系表面活性剂的添加效果，通过烧杯实验，确定蚀刻溶液的组成，然后使用可处理玻璃而制作的导联设备（图1）。
在图2中给出了说明，将含氟化合物浓度控制在10~25wt%范围，探讨了浓度的影响，将40×50mm大小切割的无碱玻璃在20℃、200 mL的蚀刻溶液中简单沉积,HF的蚀刻时间为10分钟,NH4F和NH4HF2的蚀刻时间为20分钟。图 2是平均蚀刻速率的结果，表明单独使用NH4F和NH4HF2的情况下，即使将浓度提高到25 wt%，蚀