RAM和ROM介绍

 

 

 

缓存命中：当程序需要第k+1层的某个数据对象d时，它首先在当前存储在第k层的一个块中查找d，如果d刚好缓存在第k层中，那么就称为缓存命中。

 

SRAM与DRAM的比较：

SRAM的存取要比DRAM快。由于SRAM具有双稳态特性，因此对诸如光和电噪声这样的干扰不敏感。代价是存储1个bit，SRAM与DRAM相比，使用更多的晶体管（SRAM使用6个，DRAM使用1个），因此密集度低，而且贵，功耗更大。

DRAM芯片中的所有bit被分成d个超单元，每个超单元都由w个bit组成。一个d*W的DRAM共存储了dw bit信息。超单元被组织成一个r行c列的长方形阵列(rc=d)，因此，每个超单元有形如（i,j）的地址，i表示行，j表示列。

电路设计者将DRAM组织成二维阵列，而不是线性数组的一个原因是降低芯片上地址引脚的数量。例如，4*4*8 bit的DRAM被组织成一个16个超单元的线性数组，地址为0~15，那么芯片会需要4个（2^4=16）地址引脚而不是2个（2^2=4）。二维陈列组织的缺点是必须分两步发送地址，这增加了访问时间。

多个DRAM芯片组成了一个存储器模块。如包含8个DRAM芯片的存储器，要取出存储器地址A处的一个64位双字，存储控制器将A转换成一个超单元地址（i,j），并将它发送到存储器模块，然后存储器模块再将它发送到存储器模块，然后存储器模块再将i和j广播到每个DRA，M。作为响应，每个DRAM输出它的（i,j）超单元的8位内容，存储器模块中的电路收集这些输出，并把它们合并成一个64位双字，再返回给存储控制器。

 

PROM：只能被编程一次。

EPROM、EEPROM：可擦写可编程ROM，EPROM能够被擦除和重编程的次数的数量级达1000次，而EEPROM可达10^5次。

存储在ROM设备中的程序通常称为固件。