FLASH存储器和EEPROM存储器的区别

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别 1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加 电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个 片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是 四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。 2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部 分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但 比单片机片内RAM的读写还要慢。 3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。 另供参考： 　　EEPROM即电可擦除可编程只读存储器,它的突出优点是在线擦除和改写.它既具有ROM的非易失性 的优点,又能像RAM一样随机的读写.在单片机系统中EEPROM既可以扩展为片外ROM,又可以扩展为片外RAM. 调试程序中用EEPROM代替仿真RAM既能方便的修改程序,又能保存调好的程序,但是与RAM相比EEPROM写操作 的速度很慢,另外它的寿命也是有限的. 而FLASH存储器是在EPROM工艺的基础上,增加了芯片的电擦除和再 编程功能且速度快,从而是它成为性价比和可靠性最高的可读写,非易失存储器,与EEPROM相比,FLASH具有 密度大,价格低,可靠性高的明显优势. 　　Flash和EEPROM的区别还在于擦除和写入部分: EEPROM可以单字节擦除和单字节写入; FLASH部分 芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式.