前端单元测试03之Sion

本文介绍了前端单元测试中Sinon的使用,包括Spy、Stub和Mock的功能和应用场景。Sinon作为测试辅助工具,能模拟函数调用,解决前端测试中与后台交互和函数依赖的问题,实现测试解耦。
前端单元测试03之Sion
  • 前端测试存在的问题
    在讲Sinon之前,我们得先讲一下在学习了Mocha、chai以及enzyme之后,我们的前端测试还存在的一些问题。
    比如前台测试需要与后台交互,获取后台数据后再根据相应数据进行测试。
    又比如一个函数测试依赖另一个函数,我们可以根据测试的目的去模拟另一个函数,讲两者的测试分开,从而达到测试中也能解耦的目的。
  • 测试辅助工具 Sinon
    Sinon是用来辅助我们进行前端测试的,在我们的代码需要与其他系统或者函数对接时,它可以模拟这些场景,从而使我们测试的时候不再依赖这些场景。
    Sinon有主要有三个方法辅助我们进行测试:spystubmock
  • Sion 的安装
npm install --save-dev sinon

官方demo:

export default function once(fn) {
   
   
    var returnValue, called = false;
    return function () {
   
   
        if (!called) {
   
   
            called = true;
            returnValue = fn.apply(this, arguments);
        }
        return returnValue;
    };
}
  • Sinon之spy
    spy生成一个间谍函数,它会记录下函数调用的参数,返回值,this的值,以及抛出的异常。
    而spy一般有两种玩法,一种是生成一个新的匿名间谍函数,另外一种是对原有的函数进行封装并进行监听。
    搭好上面的结构后,直接在once.test.js里面写入spy的使用例子:

    import {
         
         assert} from 'chai'
    import sinon from 'sinon'
    import once from '../src/once'
    
    describe('测试Once函数', function () {
         
         
      it('传入Once的函数会被调用', function 
### 介绍 SION通常指氮氧化硅(Silicon Oxynitride),它是一种由硅(Si)、氧(O)和氮(N)组成的化合物,在半导体工艺中是一种重要的介电材料。氮氧化硅薄膜结合了二氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄)的一些特性,具有良好的化学稳定性、机械性能和电学性能。其成分可以在一定范围内调整,通过改变氧和氮的比例,可以获得不同性质的氮氧化硅薄膜,以满足不同的工艺需求。 ### 原理 在半导体工艺中,氮氧化硅薄膜的沉积方法主要有化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等。以PECVD为例,其原理与PETEOS类似,是将含硅的前驱体气体(如硅烷SiH₄)、含氮气体(如氨气NH₃)和含氧气体(如笑气N₂O或氧气O₂)引入反应腔室,通过射频电源产生等离子体。等离子体中的高能粒子将气体分子激活并分解,产生具有高反应活性的自由基和离子,这些活性粒子在半导体晶圆表面发生化学反应,沉积形成氮氧化硅薄膜。反应过程中,等离子体提供额外的能量,使反应能够在相对较低的温度下进行。可能涉及的化学反应较为复杂,大致可表示为: \(3SiH₄ + 4NH₃ + xO₂ \stackrel{等离子体}{\longrightarrow} 3SiN_xO_y + (6 + 2x)H₂\) (其中\(x\)和\(y\)根据工艺条件确定) ### 应用 - **栅介质层**:在金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)中,氮氧化硅可以作为栅介质层。相比于传统的二氧化硅栅介质,氮氧化硅具有更好的抗硼穿透能力,能够有效防止硼杂质从多晶硅栅极扩散到半导体沟道中,从而提高器件的可靠性和稳定性。同时,通过调整氮氧化硅的成分,可以优化其介电常数和界面特性,提高器件的电学性能。 - **刻蚀阻挡层**:在半导体制造的光刻和刻蚀工艺中,氮氧化硅薄膜可以作为刻蚀阻挡层。由于其具有较高的化学稳定性和刻蚀选择性,能够在刻蚀过程中保护下层材料不被过度刻蚀,确保图案转移的准确性和精度。 - **应力缓冲层**:在集成电路的多层布线结构中,不同材料之间的热膨胀系数差异可能会导致应力的产生,从而影响器件的性能和可靠性。氮氧化硅薄膜可以作为应力缓冲层,缓解不同材料之间的应力,减少应力诱导的缺陷和失效。 ```python # 简单示意PECVD沉积SION薄膜的参数设置 class PECVD_SION: def __init__(self): self.temperature = 350 # 沉积温度,单位:°C self.pressure = 200 # 反应腔室压力,单位:mTorr self.rf_power = 300 # 射频功率,单位:W self.sih4_flow = 30 # 硅烷气体流量,单位:sccm self.nh3_flow = 50 # 氨气流量,单位:sccm self.n2o_flow = 100 # 笑气流量,单位:sccm def set_temperature(self, temp): self.temperature = temp def set_pressure(self, press): self.pressure = press def set_rf_power(self, power): self.rf_power = power def set_sih4_flow(self, flow): self.sih4_flow = flow def set_nh3_flow(self, flow): self.nh3_flow = flow def set_n2o_flow(self, flow): self.n2o_flow = flow def start_deposition(self): print(f"开始PECVD沉积SION薄膜,温度: {self.temperature}°C, 压力: {self.pressure}mTorr, 射频功率: {self.rf_power}W, 硅烷流量: {self.sih4_flow}sccm, 氨气流量: {self.nh3_flow}sccm, 笑气流量: {self.n2o_flow}sccm") # 创建PECVD设备实例 pecvd_sion = PECVD_SION() # 设置新的参数 pecvd_sion.set_temperature(400) pecvd_sion.set_rf_power(350) # 开始沉积 pecvd_sion.start_deposition() ```
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