开关电源RCD尖峰吸收电路值得选取

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博客围绕开关电源RCD尖峰吸收电路展开，虽内容缺失，但核心应是关于该电路的选取要点等信息技术相关内容。

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开关电源RCD吸收电路解析与设计
06-08 1622
在电源设计中，RCD电路以其出色的能量吸收能力，有效降低电阻损耗，从而被广泛应用。通过遵循上述设计步骤，读者可以设计出安全、高效的RCD吸收电路，从而提升开关电源的性能和稳定性。在RCD电路中，电容C两端的电压是变化的。通过公式 Vcavg²/R=E*f 可以计算出R2的大小，并据此得出R2的功率要求。通常，我们取MOS管最大额定电压的80%减去输入电压的最大值的根号2倍作为Vcmax或Vtvs的值。在大功率电源中，为了减小损耗，R1的取值应更小，甚至可以省略。其电流和电压的选择应遵循一定的裕量原则。
RCD设计详解.doc
08-06
RCD尖峰吸收设计详细步骤+理论分析，
开关电源设计之MOS管反峰及RCD吸收回路
01-12
对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗） 　　　　在讨论前我们先做几个假设： 　　① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； 　　② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； 　　③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。 　　有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 　　一﹑首先对MOS管的VD进行分段： 　　ⅰ，输入的直流电压VDC； 　　ⅱ，次级反射初级的VOR； 　　ⅲ，主MOS管VD余
反激式开关电源Flyback工作过程、波形震荡、电流尖峰
最新发布
qlexcel的专栏
07-04 1266
摘要：反激式开关电源工作原理分为开关管导通和截止两个阶段，通过变压器原副边能量传递实现隔离供电。其工作模式分为DCM（断续）和CCM（连续），波形震荡主要源于漏感电压，可通过RCD吸收电路抑制。开关管电流尖峰由寄生电容与线路电感谐振产生。与BUCK-BOOST拓扑类似，但反激式具有电气隔离优势。（148字）
开关电源RCD吸收电路
11-18
反激式开关电源结构简单，应用广泛，但其变压器漏感大，开关管存在电压尖峰，在大部分低功率应用场合都会采用简单易实现的RCD钳位电路来减缓电压尖峰，这里将简单介绍RCD电路的工作原理以及如何确定钳位电路中的参数。
电路设计中的RCD尖峰吸收计算
weixin_68101027的博客
11-17 7324
RCD尖峰吸收设计
RCD电路是什么电路？
wangkeyen的专栏
02-27 2427
用于配电系统的安全保护装置，当检测到线路剩余电流超过阈值（如30mA防触电/300mA防火）时切断电路。设计要点包括：电容值需满足C≥LkIpk2Vclamp2C≥Vclamp2​Lk​Ipk2​​，二极管应选快恢复型（如FR107）以减少反向恢复损耗910。由**电阻(R)、电容(C)、二极管(D)**组成的保护电路，主要用于开关电源中抑制电压尖峰。典型应用场景包括反激电源、LLC谐振变换器等，可降低MOSFET的VDSVDS​应力约30%-50%1011。
RCD吸收
weixin_43166304的博客
02-12 3066
RCD吸收
反激电源RCD尖峰吸收电路的原理以及调试
mnmmnmn的博客
08-09 7653
反激电源RCD尖峰吸收电路的原理以及调试
开关电源的3种尖峰吸收电路分析
03-31
为了防止开关电源(开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成)系统中的高速开关电路存在的分布电感与电容在二极管蓄积电荷的影响下产生浪涌电压与噪声。文中通过采用RC或LC吸收电路对二极管蓄积电荷产生的浪涌电压采用非晶磁芯和矩形磁芯进行磁吸收， 从而解决了开关电源浪涌电流的产生以及抑制问题。
基于开关电源的尖峰吸收电路设计
08-08
为了防止开关电源(开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成)系统中的高速开关电路存在的分布电感与电容在二极管蓄积电荷的影响下产生浪涌电压与噪声。文中通过采用RC或LC吸收电路对二极管蓄积电荷产生的浪涌电压采用非晶磁芯和矩形磁芯进行磁吸收， 从而解决了开关电源浪涌电流的产生以及抑制问题。
整流管尖峰吸收电路探讨
08-02
Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题，觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统，其实此处用RCD吸收会比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰电压可以压得更低（合理的参数搭配，可以完全吸收，几乎看不到尖峰电压），而且吸收损耗也更小。
开关电源RCD电路参数选择与计算(陶显芳).pdf.pdf
09-13
开关电源RCD电路参数选择与计算(陶显芳).pdfpdf,开关电源RCD电路参数选择与计算(陶显芳)
RCD吸收电路参数的计算.doc
09-14
RCD吸收电路参数的计算doc,RCD吸收电路参数的计算
反激开关电源RCD吸收电路的设计(含计算).pdf
09-12
反激开关电源RCD吸收电路的设计(含计算)pdf,反激开关电源RCD吸收电路的设计(含计算)
资料-RCD尖峰吸收电路计算.zip
01-16
《RCD尖峰吸收电路计算》是一份深入探讨电子工程领域中尖峰电流吸收技术的专业资料，主要聚焦于RCD（电阻-电容-二极管）电路在抑制电压尖峰和保护电路方面的重要作用。这份资料以PDF形式提供，为学习者提供了详细的...
开关电源的3种尖峰吸收电路分析！
04-14 409
为此， 开关断开时， 就需要采用吸收电路。本文介绍了RC、RCD、LC等吸收电路， 这些吸收电路的基本工作原理就是在开关断开时为开关提供旁路， 以吸收蓄积在寄生电感中的能量， 并使开关电压被钳位， 从而抑制浪涌电流。这样， 由于吸收电阻的作用， 其阻抗将变大， 那么， 吸收电容也就等效地增加了开关的并联电容的容量， 从而抑制开关断开的电压浪涌。其电压上升到吸收电容的电压时， 吸收二极管导通， 从而使开关电压被吸收二极管所钳位(约为1 V左右)， 同时寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。
[转载]开关电源中的全部缓冲吸收电路解析，收藏了！
zhjmyx的专栏
12-12 3930
基本拓扑电路上一般没有吸收缓冲电路，实际电路上一般有吸收缓冲电路，吸收与缓冲是工程需要，不是拓扑需要。 吸收与缓冲的功效： ● 防止器件损坏，吸收防止电压击穿，缓冲防止电流击穿 ● 使功率器件远离危险工作区，从而提高可靠性 ● 降低（开关）器件损耗，或者实现某种程度的关软开 ● 降低di/dt和dv/dt，降低振铃，改善EMI品质 ● 提高效率（提高效率是可能的，但弄不好也...
mos管GS尖峰RCD吸收电路
05-08
### MOS管GS尖峰抑制的RCD吸收电路设计与原理 #### 1. RCD吸收电路的作用 在MOS管的工作过程中，由于其内部存在寄生参数（如结电容和分布电感），当MOS管快速开关时会产生电压尖峰。这些尖峰会对器件造成损害，甚至可能引发电路失效。为了保护MOS管并优化电路性能，通常会在电路中加入RCD吸收网络来抑制尖峰电压。 RCD吸收电路由电阻(R)、电容(C)和二极管(D)组成，主要用于吸收因MOS管高速切换而产生的瞬态能量[^1]。这种电路能够有效降低GS间的尖峰电压，从而提高系统的稳定性和可靠性。 #### 2. RCD吸收电路的设计原则 设计合理的RCD吸收电路需要综合考虑以下几个因素： - **电阻值的选择** 电阻的主要功能是限制电流峰值以及调整时间常数RC，以确保电容器能及时充放电而不至于过载。如果电阻过大，则会影响响应速度；反之，若电阻太小则可能导致功耗增加。实际应用中，需根据具体场景选取合适的阻值范围，一般建议几百欧姆至几千欧姆之间[^1]。 - **电容容量设定** 电容用来储存多余的能量，在每次开关动作完成后将其逐步释放出去。对于不同功率等级的应用场合而言，所需配置的电容数值也会有所差异。典型情况下，可以选择纳法级(nF)到微法(uF)级别的陶瓷或者薄膜型电容器作为候选元件。 - **二极管特性匹配** 所选用的二极管应当具备良好的正向导通特性和较高的反向耐压水平，以便于可靠地引导浪涌电流流向安全路径而不是冲击敏感组件。快恢复肖特基势垒整流器因其低VF降和短tRR特性成为理想选项之一。 ```python # 示例代码展示如何计算初步参数 def calculate_rcd_parameters(voltage_spike, current_limitation): r = voltage_spike / current_limitation # 计算初始电阻值 c = (voltage_spike * time_constant) / power_dissipation # 初步估算电容需求量 return {"Resistance": round(r), "Capacitance": round(c)} params = calculate_rcd_parameters(50, 0.1) print(f"Recommended Parameters: {params}") ``` #### 3. 工作机制分析 当MOS管关闭瞬间，漏源间迅速建立高压差，此时如果没有有效的防护措施的话，就容易形成强烈的电磁干扰现象——即所谓的“铃声效应”。通过引入串联连接起来的一个适当大小的无感线圈加上并联放置的一组精心挑选过的滤波元器件构成完整的缓冲结构之后，就可以很好地缓解这一问题所带来的负面影响了[^1]。 具体来说，当出现异常状况时，D5会立即开启允许额外累积下来的电量经过它流入C11里头去存储起来；与此同时，R8又起到了限幅作用使得整个过程更加平稳可控。如此一来便实现了既定目标—最大限度削减任何潜在威胁因子的同时还兼顾到了效率方面的考量。 --- ###
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