Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件设计规则

引言:本文我们介绍Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件设计规则及约束,包括Bank选择、管脚位置约束、管脚分配、端接、I/O标准和走线长度。

01.设计规则

存储器类型、存储器数量和数据宽度受限于所选FPGA器件家族、FPGA速度等级和设计频率,频率范围取决于器件电气特性。

02.Bank和管脚选择

图1、DDR3 数据组连接(DCI级联从Bank)

图2、DDR3地址组连接(DCI级联主Bank)

图3、DDR3 地址/控

FPGA配置DDR的端接电阻需要考虑两个方面,即DDR3侧的参考电阻和FPGA侧的参考电阻。 首先,DDR3侧的参考电阻是指在DDR3芯片中使用的电阻,用于提供输入/输出的参考电平。DDR3侧的参考电阻不同于FPGA侧的参考电阻,它们具有不同的功能和阻值。根据引用中的信息,FPGA通过配置MR1[5,1]寄存器可以产生1/N x 240阻值的Ron电阻,作为DDR的内部串行电阻。这意味着FPGA侧的参考电阻是用来调整DDR的串行信号阻抗匹配。 接下来,关于RZQ电阻的配置,根据引用中提供的Intel® Quartus® Prime软件用户手册,RZQ电阻是用于DDR3的ODT(On-Die Termination,芯片内终端)电阻,用于控制DDR3总线的终端阻抗。具体配置时,需要根据DDR3芯片的要求,将合适的数量的RZQ电阻正确地连接到DDR3总线上。具体连接方式和数量可能因DDR3芯片而异,因此建议参考DDR3芯片的规格手册或厂商提供的相关资料,以确保正确配置RZQ电阻。 综上所述,FPGA配置DDR的端接电阻涉及到DDR3侧的参考电阻和FPGA侧的参考电阻。DDR3侧的参考电阻用于提供输入/输出的参考电平,而FPGA侧的参考电阻用于调整DDR的串行信号阻抗匹配。此外,配置RZQ电阻需要根据DDR3芯片的要求正确连接适当数量的电阻。建议参考DDR3芯片的规格手册或厂商提供的相关资料以获取更详细的配置信息。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span> #### 引用[.reference_title] - *1* *2* *3* [FPGA DDR3 终端参考电阻RZQ](https://blog.youkuaiyun.com/qq_21794157/article/details/121353888)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 100%"] [ .reference_list ]
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