nand flash结构---页与块

最新推荐文章于 2025-05-01 19:20:50 发布

gqd0757

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文章标签： linux

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/gqd0757/article/details/140107931

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NAND Flash 存储器通常以页（Page）和块（Block）的方式组织数据。以下是 NAND Flash 的页与块结构的简要介绍：

页（Page）：
- 页是 NAND Flash 存储器中的最小可编程单位，通常大小为 2KB、4KB 或 8KB。
- 写入数据时，需要先将整个页擦除为全 1，然后逐个字节或字写入数据。
- 读取数据时，可以按页或者按字节进行读取。
- 页是 NAND Flash 存储器中操作的基本单位，写入数据时必须按页的整数倍进行。
块（Block）：
- 块是 NAND Flash 存储器中的擦除单位，通常包含多个页。
- 块的大小通常为 64KB、128KB 或 256KB，不同型号的 NAND Flash 存储器块大小可能会有所不同。
- 擦除操作是以块为单位进行的，即将整个块擦除为全 1。
- 一旦数据存储在一个块中，就无法直接对该块进行单个页的写入或擦除，必须先将整个块擦除后才能写入新数据。

在实际应用中，为了减少 NAND Flash 存储器的擦写次数并延长寿命，通常会使用嵌入式文件系统（比如 UBIFS、JFFS2 等）来管理 NAND Flash 存储器的页与块。这些文件系统会对数据进行合理分配和管理，减少擦写操作对 NAND Flash 存储器的影响。