18、纳米片场效应晶体管热分析与新兴低功耗NCFET技术

纳米片场效应晶体管热分析与新兴低功耗NCFET技术

在半导体技术不断发展的今天，晶体管的性能优化和功耗控制成为了关键挑战。本文将深入探讨纳米片场效应晶体管（NSFET）的热分析以及新兴的负电容场效应晶体管（NCFET）在低功耗应用中的潜力。

纳米片场效应晶体管热分析

纳米片场效应晶体管主要分为CL NSFET和JL NSFET，研究中设定其Lg、TSH和WSH分别为10nm、5nm和18nm。对这两种晶体管在100°K - 400°K温度范围内的高k电介质和间隔电介质进行了模拟/射频分析。

模拟/射频性能对比

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性能指标	CL NSFET	JL NSFET
gm和gds随温度变化	随温度升高而降低	随温度升高而降低
电压增益AV	相对较低	相对较高，由于gds相对减小
电容Cgg和Cgd	各温度下值较高	各温度下值较低
截止频率fT和最大振荡频率fMAX	表现最佳	相对较低
优值GFP