10、半导体器件的掺杂与结构优化研究

半导体器件的掺杂与结构优化研究

1. F - TFET 沟道掺杂变化分析

1.1 研究目的

研究沟道掺杂对 F - TFET 器件效能的影响，以找到最佳的沟道掺杂浓度 (N_C) 值，使器件在特定频率范围内高效工作且性能不下降。

1.2 不同掺杂浓度下的参数表现

参数	(N_C = 10^{14} cm^{-3})	(N_C = 10^{15} cm^{-3})	(N_C = 10^{16} cm^{-3})	(N_C = 10^{17} cm^{-3})	(N_C = 10^{18} cm^{-3})
(I_{ON} (A/μm))	(5.5×10^{-5})	(1.08×10^{-4})	(6.14×10^{-5})	(4.89×10^{-5})	(4.54×10^{-5})
(I_{OFF} (A/μm))	(1.17×10^{-18})	(0.15×10^{-18})	(2.33×10^{-18})	(1.14×10^{-18})