纳米架构的可靠性权衡评估
1. 利用 NANOLAB 进行布尔网络可靠性分析
1.1 与 NAND 门相关的可靠性和熵测量
1.1.1 不同输入分布下 NAND 门的熵
NAND 门输出的概率分布是不对称的,因为只有一种输入组合会使输出为逻辑低。通过观察不同 KT 值下单个 NAND 门在不同输入分布时的熵曲线(如图 6.9(a)),可以发现:
- 当输入均匀分布时,熵较低。
- 随着 KT 值升高,无论是均匀还是非均匀概率分布,熵都会增加,逻辑裕度(处于有效能量配置的概率)会降低。当热能量等于逻辑能量(KT = 1)时,均匀分布情况下的熵值更低,意味着逻辑裕度更好。
1.1.2 不同阶 CTMR 配置下 NAND 门的熵
在输入均匀分布时,不同阶 NAND CTMR 配置在不同 KT 值下的熵曲线如图 6.9(b)所示:
- 较低热能量水平下,0 阶 CTMR(TMR)的熵值较高,即逻辑裕度小于 1 阶 CTMR。
- 在 KT = 0.5 时,两者的熵值几乎收敛,此时 CTMR 配置输出的逻辑裕度变得不显著,计算变得不可预测。
- 2 阶 CTMR 在 KT 值为 0.25 时熵急剧上升,表明其降低了计算的可靠性,这说明每个架构配置都有可靠性/冗余权衡点,超过这些点增加冗余水平,架构的可靠性要么保持不变,要么变差。
当输入以 0.8 的概率为逻辑高时(如图 6.9(c)),2 阶 CTMR 降低了系统的可靠性,但比 0 阶 CTMR 配置要好。这表明布尔网络输入处不同的能量分布可能导致不同的可靠性 - 冗余权衡点。而且在较低 KT 值下,熵值比输入均匀分布
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