EUV Lithography 2018 资源文件简介
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《EUV Lithography 2018》是一本深入探讨极紫外光刻技术（EUVL）的专业书籍。作为一种超越当前193纳米光学光刻的主流光刻技术，EUVL旨在生产计算机芯片。近年来，EUVL在多个领域取得了显著进展：EUV光源、扫描器、光学污染控制、掩模及掩模处理以及光刻胶等方面。
本书全面覆盖了EUVL在领域内应用的各个方面的基础知识和最新进展。自2008年SPIE出版社首次出版《EUVL Lithography》以来，EUVL在下一代光刻技术选择上的发展取得了重大突破。当时，虽然EUVL是取代193纳米光学光刻技术的有力竞争者，但并非所有人都对其信心十足。从193纳米转换到13.5纳米的波长，对于业界来说是一次巨大的飞跃，带来了光刻各个领域的诸多挑战，包括光源、扫描器、掩模处理、光学、光学计量、光刻胶、计算材料以及光学污染等方面。
这些挑战现已得到有效解决，多家前沿芯片制造商已宣布将在2018年开始将EUVL应用到大规模制造中。本书汇集了全球领先的EUVL研究人员的研究成果，为从业人员及希望了解该领域的人士提供了至关重要的信息。
随着对EUVL技术的兴趣日益增加，本书为理解和应用这一激动人心的技术提供了必要的理论基础。无论是参与EUVL某一环节的专业人士，还是对之充满好奇的学生，都将发现这本书具有极高的价值。
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