flash芯片替换SAMSUNG K9K8G08U0E替换K9K8G08U0B

最新推荐文章于 2021-05-15 02:45:19 发布

fengzhishang_meteor

最新推荐文章于 2021-05-15 02:45:19 发布

阅读量7k

点赞数 2

分类专栏： Embedded Linux Kernel 文章标签： flash替换 K9K8G08U0E K9K8G08U0B K9K8G08U0D

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/davion_zhang/article/details/47317529

版权

Linux Kernel 同时被 2 个专栏收录

74 篇文章

订阅专栏

Embedded

54 篇文章

订阅专栏

首先拜谢一下这几位作者

具体解决办法

http://www.61ic.com/Article/DaVinci/TMS320DM3x/201307/49496.html

遇到类似问题 K9K8G08U0E替换K9K8G08U0B的blog

http://blog.youkuaiyun.com/daidi1989/article/details/32335331

如何编写linux下nand flash驱动（具体讲解）

http://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_flash_page

本文主要讲述flash的替换SAMSUNG K9K8G08U0E替换K9K8G08U0B中遇到的问题

一、出现的问题

主要是两点

1.boot能够烧入，但是kernel，rootfs烧不进去，使用nand read/write 会报-74错，校验错误

2.使用ubi文件系统，同样会报错

UBI error: ubi_io_read: error -74 while reading 64 bytes from PEB 0:0, read 64 bytes

二、解决办法

下面说一下解决办法

我的u-boot版本：u-boot-2009.11-rc1

linux kernel版本：2.6.29.6

前面改法作废。

1. 代码修改

u-boot,kernel都需要改，改法相同，如下：

/drivers/mtd/nand/nand_base.c 修改函数nand_get_flash_type

/* Get chip options, preserve non chip based options */

chip->options &= ~NAND_CHIPOPTIONS_MSK;

/*Add by zhangjj 2015-8-6*/

chip->options |= NAND_NO_SUBPAGE_WRITE; /*close subpage write mode to compatibale K9K8G08U0B with K9K8G08U0E*/

/*add end*/

chip->options |= type->options & NAND_CHIPOPTIONS_MSK;

2. 修改mkfs.ubifs -e参数

例如：

mkfs.ubifs -r ./bin -m 2048 -e 129024 -c 300 -o kernel.img

改为：

mkfs.ubifs -r ./bin -m 2048 -e 126976 -c 300 -o kernel.img

说明：

第1步是将小页模式关闭，使同时兼容两种芯片

第2步是因为大页模式下，UBI可擦除逻辑块大小少了2个page（2048），（64-2）*2KiB=124KiB

K9K8G08U0D应该是与 K9K8G08U0B差不多，所以改法应该一样

三、问题解决过程

1.原厂咨询

1) 新芯片不支持小页模式写入，驱动里面的读写方式需要修改

（老芯片一个块为2048，可以分多次写入，新芯片一个块为2048+64，只能一次写入）

2) Device id不同

2.通过对比datasheet，两flash的功能块表和阵列组织相同，如下

3.继续对比手册，如下不同：

4.Program/Erase Characteristics Nop有差异

对比参考上面链接

三星原厂就K9K8G08U0D升级为K9K8G08U0E的回信：

1. please check the below timing first.
K9F1G08U0E vs K9F1G08U0D Timing difference
　 tR tPROG tBERS NOP
K9F1G08U0E Max. 40us Max. 900us Max. 16ms 1
K9F1G08U0D Max. 40us Max. 750us Max. 10ms 4

2. if timing is OK, please kindly know the 21nm SLC NOP=1 , not 4
    it means every NAND page you can just  write one time,
     if you want to write the data in the same page again, you need to erase first

3. please note :
   due to 21nm SLC NOP=1, it means you can not use "Partial Program"  for it
   if you use this function in our 42 nm SLC and want to change to 21nm SLC
    the way to solve it is modify host FTL algorithm

there is FTL (flash transfer layer) between file-system and raw NAND
( FTL : flash transfer layer ; such as bad blocks, page size write /read, ECC , wearleveling.....)
in solution base such as eMMC or SSD, the inside controller handle FTL
but for Raw NAND, it has NO controller inside and needs host to handle this algorithm

4.   image-partition FAT table error
     please kindly check the physcial to logical table
     in logical, you can write the data in the same area
     but, in physical, when you want to write or update the new data to the same page
     you can not write directly in the same page due to NOP=1
     you need to write to another page