wxc-cell使用

如图。这是官网提供的Demo。

一个常规的wxc-cell由三部分组成:

1.   左侧的label。例如上面写着“标题”的区域。

2.   中间的title。例如上面写着“文字内容”、“带链接”等的区域。

3.   右侧的value。例如上面右侧的小箭头,以及checkbox。

任何一部分都可以为空。

 

一.     使用:

1.    将WxcCell引入,注意是用驼峰命名:

import { WxcCell } from 'weex-ui'
components: { WxcCell}

2.    引用WxcCell,注意是用全小写+横线的形式:

<wxc-cell label="左侧文本"
          title="中间文本"
          desc="title下方显示说明信息"
          link="http://www.baidu.com"
          :arrow-icon="arrawSrc"
          :has-arrow="true"
          :has-top-border="true"
          :has-bottom-border="true"
          :has-vertical-indent="true"
          :has-margin="true"
          :cell-style="cellStyle"
          :extraContent="infoInData">
</wxc-cell>

对应的data为:

data: function() {
    return {
        arrawSrc: "http://iconfont.alicdn.com/t/1489455806593.png@100h_100w.jpg",
        infoInData: "data中的信息",
        cellStyle: {
            backgroundColor: "#00f3f3",
            height: "200px"
        }
    }
}

其中:

①   有的属性需要直接设置,例如label;有的属性需要用v-bind:形式来设置,例如has-arrow。基本原则是,不需要引用data变量的直接设置;需要引用data变量的用v-bind来设置。布尔值必须用v-bind来设置。

②   arrow-icon为右侧图标的src,需要定义一个data属性来引用。需要配置一个可访问的图标地址。

③   cell-style是整个cell外围<div>的样式,需要定义一个data属性来引用。对于所有div可生效的样式,均可用在这里。

④   extraContent为附加内容,需要定义一个data属性来引用。

上面的例子,效果如下:

 

二.     自定义点击事件

<wxc-cell label="左侧文本"
          title="中间文本"
          desc="title下方显示说明信息"
          :has-arrow="true"
          link="http://www.baidu.com"
          @wxcCellClicked="wxcCellClicked">
</wxc-cell>

对应的methods:

methods: {
    wxcCellClicked() {
        console.log("自定义点击");
    }
}

注意点击事件与link并不冲突。点击整个cell时,会先触发自定义的点击事件,然后触发link。

 

三.     slot

wxc-cell支持3个slot:

1.    <slot name="label"></slot>:label卡槽,替换默认 label 占位。

2.    <slot name="title"></slot>:title卡槽,替换默认 title 占位。

3.    <slot name="value"></slot>:右边卡槽,有需要传入输入框、checkbox的场景。

例如,要自定义label和title:

<wxc-cell label="左侧文本"
         
title="中间文本"
         
desc="title下方显示说明信息"
         
:has-arrow="true"
         
link="http://www.baidu.com"
         
@wxcCellClicked="
wxcCellClicked">
    <
text slot="label" style="color: red;">新的左侧文本</text>
    <
text slot="title" style="color: green;">新的中间文本</text>
</
wxc-cell>

注意slot属性要设置正确。

效果如下:

注意原始的label属性与title属性都被覆盖了。

desc属性由于依附于原始的title属性,因此也会被覆盖。

<think>我们首先解释addWellTap命令的整体功能,然后逐参数解析给定的代码片段。功能:addWellTap命令用于在芯片布局中插入阱接触单元(WellTapCells),其主要作用是防止CMOS工艺中的闩锁效应(Latch-up)。阱接触单元通过将N-well连接到VDD,将P-substrate连接到VSS,形成低阻抗路径,从而泄放可能触发闩锁效应的寄生电流。给定命令:addWellTap-cell[listFILL4]-cellInterval56-fixedGap-inRowOffset28-startRowNum2-skipRow1-prefixPXHX_TAP参数解析:1.`-cell[listFILL4]`-含义:指定要插入的阱接触单元的类型。这里使用的是名为`FILL4`的单元(通常是一个填充单元,同时具有阱接触功能)。-作用:告诉工具使用哪种单元来作为阱接触单元。2.`-cellInterval56`-含义:设置阱接触单元之间的最大间隔距离为56微米(单位通常是微米,具体取决于工艺和设计单位)。-作用:确保在芯片的任何位置,两个相邻阱接触单元之间的距离不超过56微米,以满足工艺设计规则,防止闩锁效应。3.`-fixedGap`-含义:使用固定间距模式插入阱接触单元。-作用:与动态调整间距不同,固定间距模式会按照指定的间隔(由`-cellInterval`和`-inRowOffset`等参数控制)严格地插入阱接触单元。4.`-inRowOffset28`-含义:在每一行中,第一个阱接触单元相对于行起始位置的偏移量为28微米。-作用:控制每行中第一个阱接触单元的插入位置,使得插入点避开某些敏感区域或对齐其他单元。5.`-startRowNum2`-含义:从第2行开始插入阱接触单元(行号通常从0或1开始计数)。-作用:跳过前面的行(例如第0行和第1行),可能这些行有其他特殊用途(如宏模块、电源带等)。6.`-skipRow1`-含义:跳过指定的行。这里参数为1,表示跳过第1行(注意行号计数方式,通常从0开始)。-作用:避免在某些特定行插入阱接触单元,例如该行已经存在其他阱接触单元或者该行不允许插入。7.`-prefixPXHX_TAP`-含义:为插入的阱接触单元设置名称前缀为`PXHX_TAP`。-作用:生成的阱接触单元实例将以此前缀命名,例如`PXHX_TAP_1`,`PXHX_TAP_2`等,便于后续识别和调试。整个命令的作用:在芯片布局中,从第2行开始,跳过第1行(注意:这里参数指定跳过第1行,但行号计数可能从0开始,所以实际跳过的行需要结合计数方式),并且在每一行中以28微米的偏移量开始,每隔56微米插入一个名为`FILL4`的阱接触单元,且使用固定间距模式。插入的单元名称以`PXHX_TAP`为前缀。注意:参数`-skipRow1`中的1可能是指行号1(即第二行,如果行号从0开始的话),而`-startRowNum2`则指定从行号2(第三行)开始。因此,该命令会跳过行号1,从行号2开始插入。但具体行号计数方式需要参考设计环境。防止闩锁效应的原理:阱接触单元提供了到电源(VDD)和地(VSS)的低阻抗连接,可以降低N-well和P-substrate的电阻,从而避免寄生双极型晶体管导通形成正反馈通路(闩锁效应)[^1]。相关公式:阱接触单元的间距要求与工艺相关,通常满足:$$D_{max}\leq\sqrt{\frac{2\cdotV_{bi}\cdot\epsilon_{si}}{q\cdotN_{well}}}$$其中$D_{max}$为最大允许间距,$V_{bi}$为内建电势,$\epsilon_{si}$为硅的介电常数,$q$为电子电荷,$N_{well}$为N阱掺杂浓度[^2]。实际应用中,工具会根据`-cellInterval`参数自动计算插入位置,确保间距不超过设定值。总结:该命令用于在满足设计规则的前提下,在指定位置插入阱接触单元,防止闩锁效应,提高芯片可靠性。§§相关问题§§1.闩锁效应是如何发生的?其物理机制是什么?2.在先进工艺节点(如7nm以下)中,阱接触单元的设计有哪些特殊考虑?3.如何验证阱接触单元的插入是否满足设计规则(DRC)?4.除了插入阱接触单元,还有哪些方法可以防止闩锁效应?</think>### `addWellTap`命令功能解析 `addWellTap`是集成电路物理设计中的关键命令,用于在芯片布局中插入**阱接触单元**(Well Tap Cells),主要功能是**防止CMOS工艺中的闩锁效应(Latch-up)**。其核心作用是通过在N-well和P-substrate区域创建到电源/地的低阻抗连接,泄放寄生电流,确保芯片可靠性[^1]。 #### 命令参数详解与翻译 ```tcl addWellTap -cell [list FILL4] -cellInterval 56 -fixedGap -inRowOffset 28 -startRowNum 2 -skipRow 1 -prefix PXHX_TAP ``` | 参数 | 含义 | 功能解释 | 数学关系 | |------|------|----------|----------| | **`-cell [list FILL4]`** | 指定单元类型 | 使用名为`FILL4`的阱接触单元(兼具填充和阱接触功能) | 单元尺寸 $W_{cell} \times H_{cell}$ 决定插入密度 | | **`-cellInterval 56`** | 单元间隔 | 阱接触单元最大间距56μm(满足 $D_{max} < \sqrt{\frac{2\epsilon_{si}V_{bi}}{qN_A}}$ 防闩锁规则[^2]) | 间距约束:$D \leq 56\mu m$ | | **`-fixedGap`** | 固定间距模式 | 严格按56μm等距插入(非动态调整) | 插入位置 $x_i = x_0 + i \times 56\mu m$ | | **`-inRowOffset 28`** | 行内偏移 | 每行第一个单元从起始位置偏移28μm(避开敏感区域) | 偏移量 $\Delta x = 28\mu m$ | | **`-startRowNum 2`** | 起始行号 | 从布局第2行开始插入(行号从0计数) | 起始行 $R_{start} = 2$ | | **`-skipRow 1`** | 跳行设置 | 跳过第1行不插入(通常用于存储器区域) | 排除行集合 $R_{exclude} = \{1\}$ | | **`-prefix PXHX_TAP`** | 命名前缀 | 生成单元命名格式:`PXHX_TAP_1`, `PXHX_TAP_2`... | 实例名 $name = \text{PXHX\_TAP}\_n$ | #### 物理作用机制 阱接触单元通过在N-well和衬底间形成低阻通路,抑制寄生SCR结构导通: 1. **降低阱电阻**:$R_{well} \propto \frac{1}{N_{tap}}$,插入密度 $\uparrow$ → 电阻 $\downarrow$ 2. **维持电位稳定**:确保 $\Delta V_{well} < 0.3V$,防止寄生BJT导通[^3] 3. **电流泄放**:泄放电流 $I_{latch} = \frac{\beta_n\beta_p}{(\beta_n+1)(\beta_p+1)}V_{DD}/R_{sub}$ #### 典型应用场景 ```mermaid flowchart TB A[标准单元布局] --> B{扫描单元行} B -->|行号≥2| C[跳过行1] C --> D[在起始位置+28μm插入FILL4] D --> E[每56μm插入后续单元] E --> F[生成PXHX_TAP_*实例] F --> G[完成阱接触网络] ``` 此命令常用于: - 数字标准单元布局后的阱接触插入 - 模拟/数字混合信号电路的隔离区域 - 高可靠性芯片的防闩锁加固设计
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