PowerAnts 发表于 2009-7-22 13:31 | 只看该作者 回复 引用 报告 返回版面 TOP
5楼：

介绍俺的EMI整改经验

关于晶体部份：
1、晶体到MCU的两条线不要太细，尽量短直，且这两条线与两个负载电容所包围的面积要越小越好，电容地端，最好单独用较宽的走线单独引至MCU振荡地，不要与大面积地铜箔相连；
2、晶体背面最好是整片的地铜箔，不要走其它线，也不要在晶体正面上方走别的线；
3、有的MCU与不适合的晶体配合，振幅过高，产生截顶失真，便会产生较强的基波及强烈的谐波辐射，这种情况需在Xout上造近MCU一端串几十至几百欧电阻，让振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3为宜；

高速线，一般是SDRAM、及数字视频信号的VCLK了，最好在其走线背面有地铜层，没有条件的，至少要有一条较宽的地线“护送”，能包地就更理想了，有的时候需要在靠MCU一端串电阻，消除过冲（过冲对辐射影响很大），不要串得太大，以免引起延迟；还有就是背面不要有平行的线，正面也是；另外就是USB，要走差分线；

低速较长的线，也不容忽视，尽可能用RC抑制高频分量，靠近对外的接口处，要串磁猪, 电源进线处，串小的共模电感

总而言之，辐射过强是较大的dv/dt，及较大的环路面积引起，想办法抑制电压瞬变，降低信号过冲，缩小信号与电流回流的环路面积。还有就是小天线效应

最后的没有办法的办法，才是屏蔽，成本十分昂贵