第51章设置FLASH的读写保护及解除—零死角玩转STM32-F429系列

第51章设置FLASH的读写保护及解除

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本章参考资料：《STM32F4xx 中文参考手册》、《STM32F4xx规格书》、库说明文档《stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm》以及《Proprietary code read-out protection on microcontrollers》。

51.1 选项字节与读写保护

在实际发布的产品中，在STM32芯片的内部FLASH存储了控制程序，如果不作任何保护措施的话，可以使用下载器直接把内部FLASH的内容读取回来，得到bin或hex文件格式的代码拷贝，别有用心的厂商即可利用该代码文件山寨产品。为此，STM32芯片提供了多种方式保护内部FLASH的程序不被非法读取，但在默认情况下该保护功能是不开启的，若要开启该功能，需要改写内部FLASH选项字节(Option Bytes)中的配置。

51.1.1 选项字节的内容

选项字节是一段特殊的FLASH空间，STM32芯片会根据它的内容进行读写保护、复位电压等配置，选项字节的构成见表 511。

表 511 选项字节的构成

地址	[63:16]	[15:0]
0x1FFF C000	保留	ROP 和用户选项字节 (RDP & USER)
0x1FFF C008	保留	扇区 0 到 11 的写保护 nWRP 位
0x1FFE C000	保留	保留
0x1FFE C008	保留	扇区 12 到 23 的写保护 nWRP 位

选项字节具体的数据位配置说明见表 512。

表 512 选项字节具体的数据位配置说明

选项字节（字，地址 0x1FFF C000）
RDP：读保护选项字节。读保护用于保护 Flash 中存储的软件代码。
位 15:8	0xAA：级别 0，无保护其它值：级别 1，存储器读保护（调试功能受限） 0xCC：级别 2，芯片保护（禁止调试和从 RAM 启动）
USER：用户选项字节此字节用于配置以下功能：选择看门狗事件：硬件或软件进入停止模式时产生复位事件进入待机模式时产生复位事件
位 7	nRST_STDBY 0：进入待机模式时产生复位 1：不产生复位
位 6	nRST_STOP 0：进入停止模式时产生复位 1：不产生复位
位 5	WDG_SW 0：硬件看门狗 1：软件看门狗
位 4	0x1：未使用
位 3:2	BOR_LEV： BOR 复位级别这些位包含释放复位信号所需达到的供电电压阈值。通过对这些位执行写操作，可将新的 BOR 级别值编程到 Flash。 00： BOR 级别 3 (VBOR3)，复位阈值电压为 2.70 V 到 3.60 V 01： BOR 级别 2 (VBOR2)，复位阈值电压为 2.40 V 到 2.70 V 10： BOR 级别 1 (VBOR1)，复位阈值电压为 2.10 V 到 2.40 V 11： BOR 关闭 (VBOR0)，复位阈值电压为 1.8 V 到 2.10 V
位 1:0	0x1：未使用
选项字节（字，地址 0x1FFF C008）
位15	SPMOD：选择nWPRi位的模式 0：nWPRi位用于写保护(默认) 1：nWPRi位用于代码读出保护(Proprietary code readout protection ，PCROP)
位14	DB1M：设置内部FLASH为1MB的产品的双Bank模式 0：单个Bank的模式 1：使用两个Bank的模式
位 13:12	0xF：未使用
nWRP： Flash 写保护选项字节。扇区 0 到 11 可采用写保护。
位 11:0	nWRPi (i值为0-11，对应0-11扇区的保护设置)： 0：开启所选扇区的写保护 1：关闭所选扇区的写保护
选项字节（字，地址 0x1FFE C000）
位 15:0	0xFF：未使用
选项字节（字，地址 0x1FFE C008）
位 15:12	0xF：未使用
nWRP： Flash 写保护选项字节。扇区 12 到 23 可采用写保护。
位 11:0	nWRPi： 0：开启扇区 i 的写保护。 1：关闭扇区 i