二极管的结构以及伏安特性

本文详细介绍了三种二极管类型:点触式、面接触型和平面型的特性,包括它们的结面积、电流承载能力和工作频率。同时,探讨了二极管损坏的两种常见方式:反向击穿和正向电流过大发热。此外,对比了硅和锗材料二极管的开启电压、导通电压和反向饱和电流。

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点触式型:结面积小,结电容小,故结允许的电流小,最高工作频率高。

面接触型:结面积大,结电容大,故结允许的电流大,最高工作频率低。

平面型:结面积可小可大,小的工作频率高,大的结允许的电流大。

二极管损坏的两种方式:

 1、反向击穿

 2、正向电流过大温度过高。PN结损坏 

材料开启电压导通电压反向饱和电流
硅(si)约等于0.5V0.5~0.8V

1uA

锗(Ge)约等于0.1V0.1~0.3V几十uA

 

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