铜铁矿金属的高能电子辐照研究
1. 高能电子辐照原理
1.1 引入缺陷的分布
在进行高能电子辐照研究时,有许多重要因素需要考虑,其中引入缺陷在被辐照材料内的分布是关键因素之一。例如,如果辐照电子在材料中的射程相较于材料厚度较小,那么缺陷很可能会集中在晶体靠近束流的区域,这并不是我们所期望的结果。
我们可以利用美国国家标准与技术研究院(NIST)提供的 ESTAR 数据库来估算射程。该数据库包含了一个与材料和能量相关的量,即阻止本领,它描述了辐照电子与靶材料中的电子和原子核相互作用而减速的情况。基于此,我们可以在连续慢化近似(CSDA)范围内计算射程,这种方法能够较为准确地估算电子在材料中的射程。
在实验所使用的电子能量范围内,PtCoO₂ 的 CSDA 射程变化情况如图 1 所示。在所有能量下,射程都大于 0.4mm,比聚焦离子束(FIB)离子的典型穿透深度大四个数量级,是本次实验中典型 5µm 晶体深度的 80 倍。因此,绝大多数电子会穿过晶体,与样品相互作用的电子预计只会散射一次,并且散射点会分布在整个晶体厚度上。这种技术非常适合实现所需的缺陷均匀分布,从而影响整个晶体的电阻率。
| 电子动能(MeV) | CSDA 射程(mm) |
|---|---|
| 1 | 0.4 |
| 1.5 | 0.6 |
| 2 | 0. |
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