1-8 内存的概念、分类、初始化方法

详细的实验代码请查看这里：

一、  分类

      主要分为：DRAM——小电容充电，需要不断刷新数据，速度慢；SRAM——不需要刷新，速度快名单功耗大，成本高（stepping stone为4K的SRAM）

      DRAM分为：SDRAM（Synchronous Dynamic Radom Access Memery）同步随机存储器。

                              同步：工作需要同步时钟，用于命令和数据的发送

                              动态：不断对电容进行刷新

                              随机：不是线性存储，而是通过地址读写

    DDR（Double Data Rate SDRAM）双倍速同步动态随机存储器，除了在时钟脉冲的上升沿传输数据，还可以在下降沿传输，速度是SDRAM的两倍。

二、  内存的内部结构

    1.  数据存放在每个格，读写时先指定行地址，再指定列地址，内存芯片一般被分割为4个L-BANK（Logic_Bank）。

    2.  寻址信息包括：L_Bank  选择信号、行地址以及列地址

    3.  内存容量计算方法：一个芯片 = 4 X 单元格数 X 格的大小

        如：HY57V561620(L): 4 Bank X 4M  X 16bit = 32 MB

三、  关于S3C2440的内存地址空间（可参考2440手册第五章 Memory Controller）

    1.  地址线：2440提供27根地址线，2的27次方 = 128MB

    2.  片选信号：2440提供8个片选信号

    3.  因此外置空间共有 8 X 128MB = 1GB （0X4000 0000）应该注意的是，各片选信号不能同时访问，内存一般就放到nGCS6，起始地址未0x3000 0000

    4.  存储控制器

        ARM9 Core——>存储器控制器——>内存、Nandflash、网卡芯片等

四、  内存芯片的硬件连接（参考HY57V561620内存芯片）

        规格：4Bank X 4M X 16bit = 32MB， 2440的内存连接线为：32MB X 2 = 64MB

        因此，2440可以采用并联，32bit位宽的方式，同时连接两块16bit的内存芯片，间接组成一块32bit位宽的内存芯片，每块32MB，两块就可以看成是一个64MB的内存块了

五、  存储控制器寄存器（参考2440芯片手册第五章  Memory Controller）

    1.  BWSCON （Bus WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER）0x48000000 R/W 

ST7	[31]	0	ST6	[27]	0
WS7	[30]	0	WS6	[26]	0
DW7	[29：28]	10	DW6	[25：24]	10

因此，BWSCON可设置为0x2200 0000

    2.  BANKCON（0-5），以下地址：

        0x4800 0004

        0x4800 0008

        0x4800 000c

        0x4800 0010

        0x4800 0014

        0x4800 0018

        都设置为0x0000 0700

    3.  而BANKCON6（0x4800 001c）和BANKCON7（0x4800 0020）的默认值都是0x18008

MT	[16：15]	SDRAM	11
	[14：15]		0
Trcd	[3：2]	查看时序图：2	CLOCKS:00
SCAN	[1：0]	column：CA0-CA8	9bit：01

因此，BANKCON6和BANKCON7应该设为0x00018001        

    4.  REFRESH（SRAM 重新刷新功能）0x4800 0024 R/W 默认是0xac 0000

REFEN	[23]	刷新使能	1
TREFMD	[22]	自动刷新	0
Trp	[21:20]	时序：2 CLKS	00
Tsrc	[19:18]	7 CLKS	11
	[17:16]	not_used	00
	[15:11]	not_used	00000

而[10:0]  通过（2的11次方 - refresh - count + 1）/ HCLK 的计算，

             也就是（2^11 + 1 - 100 X 7.8）= 1269 也就是100 1111 0101也就是 0x008c 04f5

    5.  BANKSIZE（0x4800 0028）的设置为：

BURST_EN	[7]	突发模式使能	1
	[6]	not_used	0
SCKE_EN	[5]	节电模式	1
SCLK_EN	[4]		1
	[3]	not_used	0
BKMAP	[2：0]	64MB	001

因此，BANKSIZE最后应该设置为0x0000 00b1

    6.  而MRSRB6(0x4800 002c）和MRSRB7(0x4800 0030）(SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER)

CL

[6：4]

CAS Latercy 3 CLOCKS

011

因此，以上两个寄存器的值应该设置为：0x0000 0030

六、  整个内存初始化实验代码如下：

#define mem_con 0x48000000
mem_init:
ldr r0, =mem_con
add r3, r0,#4*13
adrl r1, mem_data
0:
ldr r2, [r1], #4
str r2, [r0], #4
cmp r0, r3
bne 0b

mov pc, lr

mem_data:
.long 0x22000000
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00000700
.long 0x00018001
.long 0x00018001
.long 0x008c04f5
.long 0x000000b1
.long 0x00000030
.long 0x00000030