第一天，全新的开始，全新的挑战

第一天
C语言基础内容+NandFlash基础知识学习+ICS集成编译系统的设置及相关插件的安装

如果说十天的入职培训还没感受到自己真正离开校园踏入职场，那么培训完到部门报道后的第一天，才真真切切的体会到了在学校无忧无虑的时光已经渐行渐远。好在选择了一个朝阳产业，进入了很棒的团队，有着牛的导师带，有着极大的发展空间，我与公司都有着光明的未来。我先在需要做的就是全力以赴，努力努力再努力！！！

C语言基础知识的温习
虽然之前学过C语言，但已经好好久未使用过，有些需要注意的细节难免会忘记，因此我计划用四天时间把之前买的《明解C入门篇》与《明解C中级篇》再温习一遍。今天看了《明解C入门篇》的1-6章内容，现在把看到的需要注意的内容记录如下：
1、在声明自动存储期的变量时及时进行初始化，否则会被放入一个垃圾值，被赋予静态存储区的变量默认值为0。
2、puts函数和print函数的区别是前者不能进行格式设定和数值的输出但自动输出换行符，后者则相反。
3、如果一个运算中有不同类型的操作数则会进行“隐式类型的转换”，较小的数据类型向较大的数据类型转换。
4、对表达式进行判断会得到表达式的类型和值。
5、对函数调用的表达式进行判断，会得到该函数返回后的值。
6、同名变量拥有不同的作用域，内层变量可见，外层变量会被隐藏。

NandFlash基础知识PPT的学习
学习要点总结如下：
1、NOR Flash 与NAND Flash的区别：
NOR传输效率高、读速度高、待机功耗小程序可以直接在flash内运行，但擦写速度低。
NAND 容量大、改写速度快、单位成本低、易用性强、读写功耗低、单位成本低。
2、运行在主控上的固件主要有三层：
协议层：与HOST沟通
闪存转换层：处理协议请求，从逻辑地址到物理地址的转换，管理Flash。
物理驱动层：控制NAND Flash的读写操作
3、双层浮栅MOS管的写、擦、读原理：
写：控制极加大正电压、漏极为0V 时产生量子隧道效应，电子进入浮栅写入数据0，漏极为2V时无此效应不写入数据默认为1。flash只能由1写为0.
擦：控制极接地，衬底加大电压，不用擦除的控制极悬空即可。
读：在栅源间加不同的电压，测得导通阈值电压不同可以得知浮栅中的电子量。
4、DQS：同步内存和内存控制器之间的信号，其实就是DQ数据的时钟。
5、时序分析的要点：写命令、写地址、数据输入、数据输出。

这个PPT里面有关时序的内容理解有点混乱，不是很清晰，关于一个数据的传输过程需要经历那些过程等等，分别代表什么含义，感觉有点头大。这个后面还要再重点学习一下。

ICS集成编译系统的设置及相关插件的安装

这部分主要时未来工作中需要用的远程桌面的连接，以及相关的编译环境的配置，以及相关的插件的安装，还有ICS Tool的设置安装，目前最后一个工具还没搞好，其他所需的已经弄好了。

继续加油吧！你一定可以的！！！