EFM32的专栏

由于在对内部Flash进行擦写操作时，不能对Flash进行读操作，否则会造成擦写停止。而正常情况下，中断向量表以及中断处理函数，都是放在Flash内的。因此，对内部Flash进行擦写操作时，一般会将系统的总中断关闭，暂时性不去响应外部中断。这样，系统就仅仅是执行擦写操作，而不会去Flash内进行读取指令等操作，因此保证Flash操作的正常进行。硬件：TG STK软件：处于测试目的，在程序中

在上一次对Flash的操作，是在关闭总中断的情况下完成的。但是关闭总中断终归会造成系统响应时间延迟，而且在某些特殊的场合下，关闭总中断也容易造成丢失UART数据，或则SPI数据等现象。解决的方法就是：既然在擦写Flash时不能进行Flash读操作，因此可以将NVIC的向量表重新映射到RAM，并且将中断响应函数也一并放入RAM中，这样的话，即使在擦写flash操作时有中断需要响应，因此也不会去读

各位看官，在看EFM32的MSC里面的函数时，例如在看MSC_ErasePage()这个函数的时候，有否注意这个函数上面的一大段解释呢。详细的英文如下：This function MUST be executed from RAM. Failure to execute this portion of the code in RAM will result in a hardfault. Fo

每一片EFM32，内部都有一个唯一ID号。而这个号码是存在一个特殊的flash页里面的。我们称之为Device infromation页。在Device infromation页里面不仅仅有唯一的ID号，而且有ADC，DAC，HFRCO等等模块的校验值，以及器件的型号和芯片的版本号等。以下就是经常用到的几个参数。这里有函数的形式进行访问。将来再慢慢的增加。//读取器件的家族类型//71